[實用新型]半導體冷卻裝置

有效

• 申請號: 201320288716.7
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN203325887U
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 王靜娜
• 申請（專利權）人: 王靜娜
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/473;H01L23/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種冷卻或者冷凍裝置，尤其涉及一種半導體冷卻裝置，屬于半導體制品領域。

背景技術

半導體是人類當代工業發展中不可或缺的材料，通常意義上講，半導體是指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。

半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的半導體材料特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用(如光或電場)下內部的載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯密度可以用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度。當然，對于非晶態半導體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數的。

20世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功，導致了電子工業革命；20世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業，使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與制造從“雜質工程”發展到“能帶工程”。納米科學技術的發展和應用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路，深刻地影響著世界的政治、經濟格局和軍事對抗的形式，徹底改變人們的生活方式。

由此可見，半導體材料在人類現代化工業生產中起著舉足輕重的作用，而伴隨著半導體材料進行的各種產品研發、應用、設計等都是科研人員孜孜以求的目標。伴隨著半導體材料的發展，我們認為可以有更多的應用和推廣。

實用新型內容

為了克服現有技術的不足，解決好現有技術的問題，彌補現有目前市場上現有產品的不足。

本實用新型提供了一種半導體冷卻裝置，包括外殼、保溫內膽、內膽塞、冷凝器、電機及散熱機構，所述散熱機構為包括入水口和出水口的冷水管構成，所述入水口與出水口分別與冷凝器的輸出端和輸入端連接，所述散熱機構設置在保溫內膽的外壁上，所述電機與所述冷凝器電連接。

優選地，上述電機與冷凝器設置在外殼的外壁上。

優選地，上述冷水管的入水口和出水口分別設置有單向閥。

優選地，上述外殼內底上設置有基座，所述保溫內膽固定于基座上，所述基座由隔熱材料構成。

優選地，上述內膽塞內部填充有隔熱材料。

優選地，上述外殼上設置有兩個孔洞供冷水管穿過。

本實用新型提供的半導體冷卻裝置與傳統的裝置相比，本實用新型提供的半導體冷卻裝置具有合理的散熱、吸熱結構，提高了制冷效率，并且該裝置結構簡單、成本低、體積小、無噪音，適合各種小量冷凍用。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中標記：1-外殼；2-保溫內膽；3-內膽塞；4-冷凝器；5-電機6-散熱機構；7-單向閥；8-基座。

具體實施方式

為了便于本領域普通技術人員理解和實施本實用新型，下面結合附圖及具體實施方式對本實用新型作進一步的詳細描述。

如圖1所示為本實用新型的半導體冷卻裝置結構示意圖，主體包括外殼1、保溫內膽2、內膽塞3、冷凝器4、電機5及散熱機構6。

其中，散熱機構6為包括入水口和出水口的冷水管構成，所述入水口與出水口分別與冷凝器的輸出端和輸入端連接，所述散熱機構6設置在保溫內膽的外壁上，所述電機與所述冷凝器電連接。

電機5與冷凝器4設置在外殼1的外壁上。

冷水管4的入水口和出水口分別設置有單向閥7。

外殼1內底上設置有基座8，所述保溫內膽2固定于基座8上，所述基座8由隔熱材料構成。

內膽塞3內部填充有隔熱材料。

外殼1上設置有兩個孔洞供冷水管穿過。