[實用新型]一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件

有效

• 申請號: 201320286687.0
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN203225272U
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 王暄;蔣強;李志遠
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 胡樹發

技術領域

本實用新型涉及電光取樣技術探測太赫茲波技術領域，尤其涉及一種共面結構型電光聚合物薄膜傳感技術。

背景技術

目前的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件主要是由兩平行電極組成的簡單傳感器件，只有一個電極通道。由于結構簡單，電極厚度小等原因，這種共面結構型電光聚合物薄膜器件存在如下不足：

(1)電光聚合物薄膜利用率低

傳統的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件只有一個電極通道，能有效利用的電光聚合物薄膜僅存在電極之間很狹窄的電極間隙里，成膜面積小，影響電光聚合物薄膜的利用率。

(2)有效電場低

現有的共面結構型電光聚合物薄膜器件的電極制作工藝簡單，一般電極厚度在幾個微米，當對電光聚合物薄膜極化時，電場分布不均勻，有效場強低，聚合物薄膜所表現出的宏觀非線性光學效應小，在作為探測太赫茲波的傳感器件時，影響傳感器件的探測效率。

(3)應用不夠便捷

由于單一的共面結構型電光聚合物結構簡單，并無外接電路，在極化和用作傳感器件時，給使用者帶來了極大不變。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件電光聚合物薄膜利用率低、有效電場低和應用不方便的問題，提供一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件。

本實用新型所述的一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件包括共面結構型電光聚合物薄膜器件1、陶瓷電路板2和封裝屏蔽殼3，所述共面結構型電光聚合物薄膜器件1為正方形薄板，陶瓷電路板2的下表面中心位置開設有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的邊長小于共面結構型電光聚合物薄膜器件1的邊長，陶瓷電路板2的上表面中心位置開有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽為正方形、且其邊長與共面結構型電光聚合物薄膜器件1的邊長相等，所述薄膜固定槽的底部與正方形的凹槽的頂部連通，共面結構型電光聚合物薄膜器件1嵌入固定在薄膜固定槽內，所述共面結構型電光聚合物薄膜器件1與陶瓷電路板2的連接處通過硅化鋁焊接固定，封裝屏蔽殼3固定在陶瓷電路板2中心的正上方、且覆蓋共面結構型電光聚合物薄膜器件1，所述共面結構型電光聚合物薄膜器件1的兩個電極輸出端位于封裝屏蔽殼3的內側，所述封裝屏蔽殼3設置有石英窗口，所述石英窗口位于共面結構型電光聚合物薄膜器件1的正上方。

本實用新型所述的一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件的陶瓷電路板2上設有兩個焊盤4，所述兩個焊盤4均位于封裝屏蔽殼3的外側，且所述兩個焊盤4分別通過覆銅線與共面結構型電光聚合物薄膜器件1的兩個電極輸出端連接。

本實用新型所述的一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件的共面結構型電光聚合物薄膜器件1采用微觀插指結構，所述微觀插指結構的兩個電極輸出端即為共面結構型電光聚合物薄膜器件1的兩個電極輸出端。

本實用新型所述的一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件的封裝屏蔽殼3由一個底面和四個側面構成，所述底面和四個側面圍成立方體空間，四個側面的開口側與陶瓷電路板2的上表面固定連接。

本實用新型所述的一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件的插指電極由多對電極組成，電光聚合物薄膜利用率提高5倍以上，電極厚度與現有技術相比提高了一個數量級，使得響應探測效率高20％～30％，陶瓷電路板上設有焊盤用來引出導線，應用更加便捷。

附圖說明

圖1為本實用新型所述的一種用于太赫茲波探測的共面結構型電光聚合物薄膜傳感器件結構示意圖的正式圖；

圖2為圖1的俯視圖。

具體實施方式