[實用新型]一種用于太赫茲波探測的共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜傳感器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320286687.0
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN203225272U
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王暄;蔣強;李志遠
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱理工大學(xué)
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109
• 代理人: 胡樹發(fā)

1.一種用于太赫茲波探測的共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜傳感器件，其特征在于，它包括共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)、陶瓷電路板(2)和封裝屏蔽殼(3)，所述共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)為正方形薄板，陶瓷電路板(2)的下表面中心位置開設(shè)有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的邊長小于共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)的邊長，陶瓷電路板(2)的上表面中心位置開有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽為正方形、且其邊長與共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)的邊長相等，所述薄膜固定槽的底部與正方形的凹槽的頂部連通，共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)嵌入固定在薄膜固定槽內(nèi)，所述共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)與陶瓷電路板(2)的連接處通過硅化鋁焊接固定，封裝屏蔽殼(3)固定在陶瓷電路板(2)中心的正上方、且覆蓋共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)，所述共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)的兩個電極輸出端位于封裝屏蔽殼(3)的內(nèi)側(cè)，所述封裝屏蔽殼(3)設(shè)置有石英窗口，所述石英窗口位于共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)的正上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太赫茲波探測的共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜傳感器件，其特征在于，所述的陶瓷電路板(2)上設(shè)有兩個焊盤(4)，所述兩個焊盤(4)均位于封裝屏蔽殼(3)的外側(cè)，且所述兩個焊盤(4)分別通過覆銅線與共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)的兩個電極輸出端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太赫茲波探測的共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜傳感器件，其特征在于，所述的共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)采用微觀插指結(jié)構(gòu)，所述微觀插指結(jié)構(gòu)的兩個電極輸出端即為共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜器件(1)的兩個電極輸出端。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于太赫茲波探測的共面結(jié)構(gòu)型電光聚合物薄膜傳感器件，其特征在于，所述的封裝屏蔽殼(3)由一個底面和四個側(cè)面構(gòu)成，所述底面和四個側(cè)面圍成立方體空間，四個側(cè)面的開口側(cè)與陶瓷電路板(2)的上表面固定連接。