[實(shí)用新型]一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320278972.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203311029U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭志強(qiáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 寧波屹諾電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02B6/126 | 分類(lèi)號(hào): | G02B6/126;G02B6/24 |
| 代理公司: | 杭州豐禾專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33214 | 代理人: | 鄭黎明 |
| 地址: | 315202 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 實(shí)現(xiàn) 偏振 旋轉(zhuǎn) 集成 器件 | ||
1.一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:包括兩根平行設(shè)置的第一直波導(dǎo)(1)和第二直波導(dǎo)(2),所述第一直波導(dǎo)(1)和第二直波導(dǎo)(2)上方設(shè)置有上包層(3),下方設(shè)置有下包層(4)從而形成耦合區(qū),其中,所述上包層(3)以及下包層(4)的折射率低于所述第一直波導(dǎo)(1)和第二直波導(dǎo)(2)的折射率,且所述上包層(3)的折射率大于或小于所述下包層(4)的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫電模和所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫磁模的理論功率耦合效率大于等于80%,所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫磁模和所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫電模以及橫磁模的理論功率耦合效率小于等于10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫電模的模式傳播常數(shù)相對(duì)所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫磁模的模式傳播常數(shù)的偏差小于或等于1%,且所述耦合區(qū)的長(zhǎng)度等于所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫電模和所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫磁模耦合的耦合長(zhǎng)度的奇數(shù)倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)的(1)寬度與所述第二直波導(dǎo)(2)的寬度的差別在100nm-500nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫磁模和所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫電模的理論功率耦合效率大于等于80%,所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫電模和所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫電模以及橫磁模的理論功率耦合效率小于等于10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫磁模的模式傳播常數(shù)相對(duì)所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫電模的模式傳播常數(shù)的偏差小于或等于1%,且所述耦合區(qū)的長(zhǎng)度等于所述第一直波導(dǎo)(1)中的橫磁模和所述第二直波導(dǎo)(2)中的橫電模耦合的耦合長(zhǎng)度的奇數(shù)倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)的(1)寬度與所述第二直波導(dǎo)(2)的寬度的差別在100nm-500nm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的一種實(shí)現(xiàn)光偏振分束和旋轉(zhuǎn)的集成器件,其特征在于:所述第一直波導(dǎo)(1)和第二直波導(dǎo)(2)的折射率大于或等于2.8,所述上包層(3)和下包層(4)的折射率小于或等于2.1。
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