[實用新型]基于負微分電阻特性的SET/CMOS鎖存器有效

申請號：	201320277821.0	申請日：	2013-05-21
公開（公告）號：	CN203301452U	公開（公告）日：	2013-11-20
發明（設計）人：	魏榕山;陳壽昌;于志敏;黃鳳英;何明華	申請（專利權）人：	福州大學
主分類號：	H03K19/0948	分類號：	H03K19/0948
代理公司：	福州元創專利商標代理有限公司 35100	代理人：	蔡學俊
地址：	350002 福建省福州市銅***	國省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關鍵詞：	基于微分電阻特性 set cmos 鎖存器
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【權利要求書】：

1.?一種基于負微分電阻特性的SET/CMOS鎖存器，包括一雙柵單電子晶體管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源極連接電源電壓V_dd，所述PMOS管的柵極作為所述鎖存器的輸入端，所述PMOS管的漏極作為所述鎖存器的輸出端并連接所述NMOS管的漏極和所述雙柵單電子晶體管的一個柵極，所述NMOS管的柵極連接一基準電壓V_g，所述NMOS管的源極連接所述雙柵單電子晶體管的漏極，所述雙柵單電子晶體管的另一個柵極連接一控制電壓V_ctrl，所述雙柵單電子晶體管的源極接地。

2.?根據權利要求1所述的一種基于負微分電阻特性的SET/CMOS鎖存器，其特征在于：所述雙柵單電子晶體管由兩個隧穿結通過庫侖島串聯而成，外加的偏置電壓由柵極電容耦合到庫侖島上，以控制器件的隧穿電流。

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