[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201320252659.7
• 申請日: 2013-05-11
• 公開（公告）號: CN203250788U
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 屠建波
• 申請（專利權）人: 深圳市中策科技發展有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/56;H01L33/52;H01L33/50
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 王雨時;熊偉

技術領域

本實用新型涉及一種元器件封裝結構，特別是涉及一種半導體封裝結構。?

背景技術

現有半導體元件如LED元件，一般采用封裝在透明塑料中，形成帶狀或片狀的發光器件。由于塑料的結合性不好，且易老化，一般使用壽命不長；且燈飾很難做成可變化的圖形或文字，裝飾效果比較死板。且傳統一般采用將熒光粉漿直接涂敷在芯片上面，同一塊模組的熒光粉還是較一致，但對大批量生產就可能會出現不同的模組用眼睛看出色差來。?

另半導體元件如LED元件工作時候的散熱問題也是LED發展遇到的一個重要問題，特別是大功率的LED的散熱問題。?

發明內容

基于此，有必要提供一種可豐富裝設效果的半導體封裝結構。?

一種半導體封裝結構，包括：基板、設置在所述基板上的半導體模塊、封裝所述半導體模塊上的封裝玻璃，所述基板與所述半導體模塊之間設置有電氣連接結構；所述半導體模塊包括多個半導體芯片單元，所述半導體芯片單元包括：襯底、于所述襯底上依次生長的低溫緩沖層、N型電子注入層、多量子阱有源層、電子阻擋層、P型空穴注入層、及P型電極金屬全發射層；所述P型電極金屬全發射層上設置有P型電極，所述襯底底部設置有N型電極，所述N型電極與所述N型電子注入層電性連接；所述任意一半導體模塊中的所有半導體芯片單元由同一襯底連接且相互之間電學隔離；所述任意一半導體模塊中的所有半導體芯片單元的P型電極電連接；所述基板為玻璃基板，所述半導體模塊上覆有熒光粉薄膜。?

在優選的實施例中，所述熒光粉薄膜整體覆于所述半導體模塊上。?

在優選的實施例中，所述熒光粉薄膜的厚度為0.1-0.5mm。?

在優選的實施例中，所述玻璃基板的厚度為1.5-25mm。?

在優選的實施例中，所述封裝玻璃為球形玻璃透鏡。?

在優選的實施例中，所述襯底為藍寶石襯底；所述低溫緩沖層為GaN層，所述N型電子注入層為N型GaN層，所述電子阻擋層為P型AlGaN層，所述P型空穴注入層為P型GaN層。?

在優選的實施例中，所述N型電子注入層的厚度為3.5-4.5μm、所述多量子阱有源層厚度為0.1-0.2μm、所述P型空穴注入層為0.1-0.2μm、P型電極金屬全發射層0.4-0.6μm。?

在優選的實施例中，所述襯底的底部設有與所述半導體芯片單元相應設置的通孔，所述通孔與相應的半導體芯片單元上的N型電子注入層相連，所述N型電極覆蓋所述通孔及所述襯底底部。?

在優選的實施例中，所述N型電極包括：設置在所述通孔中的第一電極、及覆蓋所述襯底底部的第二電極；所述第一電極材料為TiAlAu；所述第二電極的材料為Al或Cu。?

在優選的實施例中，所述半導體芯片單元之間設置有進行電學隔離的電隔離溝槽。?

上述的半導體封裝結構通過采用玻璃基板及封裝玻璃對半導體特別如LED進行封裝，增加了半導體的透射效果，形成兩面雙向透射效果，可根據需要靈活布置半導體排布，顯示不同的顯示圖案或文字，形成靈活多變的顯示效果，滿足不同需求；同時增加LED的透光性，且由于LED通過透明玻璃將光透射出去，減少多余的光轉化成熱能，從而又能有效的處理LED的熱能；且采用玻璃封裝，玻璃材料不易老化，從而提高半導體如LED的使用壽命；且采用熒光粉薄膜覆設在半導體模塊上，采用熒光粉薄膜，薄膜可以規模化生產，一致性好，LED燈都是多芯片封裝，發出的光互相混合，經過熒光粉膜或膜片轉換為白光，其色差可以消除。?

附圖說明

圖1為本實用新型一實施例的半導體封裝結構的示意圖；?

圖2為本實用新型一實施例的半導體封裝結構的部分結構示意圖。

具體實施方式

如圖1至圖2所示，本實用新型一實施例的半導體封裝結構100，包括：基板20、設置在基板20上的半導體模塊40、封裝半導體模塊40的封裝玻璃60。?

進一步，本實施例的基板20與半導體模塊40之間設置有電氣連接結構80。?

進一步，本實施例的半導體模塊40包括：多個半導體芯片單元42。進一步，本實施例的半導體芯片單元42包括：襯底420、及于襯底420上依次生長的低溫緩沖層422、N型電子注入層424、多量子阱有源層426、電子阻擋層428、P型空穴注入層429、P型電極金屬全發射層423。本實施例的半導體模塊40優選為半導體模塊。半導體芯片單元42優選為半導體芯片單元。?

進一步，本實施例的P型電極金屬全發射層423上設置有P型電極425。?