[實用新型]半導體封裝結構有效
| 申請號： | 201320252659.7 | 申請日： | 2013-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN203250788U | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 屠建波 | 申請（專利權）人： | 深圳市中策科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/58 | 分類號： | H01L33/58;H01L33/56;H01L33/52;H01L33/50 |
| 代理公司： | 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 王雨時;熊偉 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：基板、設置在所述基板上的半導體模塊、封裝所述半導體模塊上的封裝玻璃，所述基板與所述半導體模塊之間設置有電氣連接結構；所述半導體模塊包括多個半導體芯片單元，所述半導體芯片單元包括：襯底、于所述襯底上依次生長的低溫緩沖層、N型電子注入層、多量子阱有源層、電子阻擋層、P型空穴注入層、及P型電極金屬全發射層；所述P型電極金屬全發射層上設置有P型電極，所述襯底底部設置有N型電極，所述N型電極與所述N型電子注入層電性連接；所述任意一半導體模塊中的所有半導體芯片單元由同一襯底連接且相互之間電學隔離；所述任意一半導體模塊中的所有半導體芯片單元的P型電極電連接；所述基板為玻璃基板，所述半導體模塊上覆有熒光粉薄膜。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述熒光粉薄膜整體覆于所述半導體模塊上。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述熒光粉薄膜的厚度為0.1-0.5mm。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述玻璃基板的厚度為1.5-25mm。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述封裝玻璃為球形玻璃透鏡。
6.根據權利要求1至5任意一項所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底；所述低溫緩沖層為GaN層，所述N型電子注入層為N型GaN層，所述電子阻擋層為P型AlGaN層，所述P型空穴注入層為P型GaN層。
7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述N型電子注入層的厚度為3.5-4.5μm、所述多量子阱有源層厚度為0.1-0.2μm、所述P型空穴注入層為0.1-0.2μm、P型電極金屬全發射層0.4-0.6μm。
8.根據權利要求1至5任意一項所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述襯底的底部設有與所述半導體芯片單元相應設置的通孔，所述通孔與相應的半導體芯片單元上的N型電子注入層相連，所述N型電極覆蓋所述通孔及所述襯底底部。
9.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述N型電極包括：設置在所述通孔中的第一電極、及覆蓋所述襯底底部的第二電極；所述第一電極材料為TiAlAu；所述第二電極的材料為Al或Cu。
10.根據權利要求1至5任意一項所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體芯片單元之間設置有進行電學隔離的電隔離溝槽。
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