[實用新型]一種掩模板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320229648.7
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN203232243U
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設計）人: 楊海鵬;尹傛俊;涂志中;金在光
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本實用新型涉及顯示裝置制造領域，特別是指一種掩模板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。對于TFT-LCD來說，陣列基板結構以及制造工藝決定了其產品性能、成品率和價格。

為了有效地降低TFT-LCD的價格、提高成品率，TFT-LCD陣列基板結構的制造工藝逐步得到簡化，從五次掩模（5mask）工藝已經發(fā)展到目前基于HTM?Mask（半透式掩模）或GTM?Mask（灰化式掩模）的4次掩模（4mask）工藝。4次構圖工藝的核心是采用HTM?Mask代替?zhèn)鹘y(tǒng)5次構圖工藝中的第二次掩模（半導體層光刻）和第三次掩模（源漏極光刻）。

如圖1所示，在采用HTM?Mask制作陣列基板的過程中，由于溝道的位置采用了半透光膜，在曝光后殘留部分光刻膠，所以完成溝道制作需要進行兩次濕刻和兩次干刻，第一次濕刻完成后形成的源漏極13寬度，還會在之后的一次濕刻以及兩次干刻過程中被不斷侵蝕，使得最終形成的源漏極13寬度比下層的半導體層12寬度要小。多余的半導體層A被稱為Active-Tail，也就是下層半導體層12兩側超出上層源漏極15的部分，多余的半導體層A會影響陣列基板中層與層圖形之間的間距，還會影響源漏極13與柵極11之間的電容，影響源漏極13與第一層金屬層交叉跨越時的膜厚和段差，最終會導致影響顯示裝置的穩(wěn)定性，設計的容錯性以及顯示裝置的開口率。

現(xiàn)有技術主要通過改變曝光速率，改變刻蝕速率以及改變光刻膠厚度等方式來進行測試，尋找工藝可能的最佳值，以此來減少半導體層的多余部分，但是此種方式是受工藝條件限制大，改善程度有限。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種掩模板，能夠有效減少多余的半導體層。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種掩模板，包括掩模基板以及形成在所述掩模基板上的至少一個圖案區(qū)域，所述圖案區(qū)域內包括有不透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，其中，在所述不透光區(qū)域的兩側存在完全透光區(qū)域時，其中一側的完全透光區(qū)域上覆蓋有能夠使光線相位偏轉的相位偏轉膜。

進一步地，上述方案中，所述相位偏轉膜的相位偏轉角度為150-180°。

進一步地，當采用波長為365nm的光時，所述相位偏轉膜的相位偏轉角度為180°。

進一步地，上述方案中，所述圖案區(qū)域包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，所述不透光區(qū)域對應陣列基板上的源漏極區(qū)域，所述半透光區(qū)域對應陣列基板上的位于源漏極中間的溝道區(qū)域，所述完全透光區(qū)域位于所述不透光區(qū)域兩側，其中一側所述完全透光區(qū)域覆蓋有所述相位偏轉膜。

進一步地，上述方案中，所述不透光區(qū)域包括對應陣列基板上的源漏極區(qū)域和數(shù)據(jù)線區(qū)域。

進一步地，所述半透光區(qū)域對應陣列基板上位于源漏極中間的溝道區(qū)域采用具有半透過率的相位偏轉膜。

進一步地，所述具有半透過率的相位偏轉膜的透過率為30%-70%。

本實用新型的實施例具有以下有益效果：

上述方案中，在掩模板的不透光區(qū)域的兩側存在完全透光區(qū)域時，其中一側的完全透光區(qū)域上覆蓋有能夠使光線相位偏轉的相位偏轉膜，這樣利用該掩模板制作對應該不透光區(qū)域的圖形，在曝光時，該不透光區(qū)域兩側光在該圖形邊緣形成的衍射效果被大幅度降低，可以有效加強該圖形邊緣的曝光對比強度，增厚該圖形邊緣光刻膠，減少該圖形邊緣被侵蝕的程度，最終有效減少該圖形下層的多余部分；具體地，在利用該掩模板制作源漏極圖形時，在曝光時，該不透光區(qū)域兩側光在源漏極圖形邊緣形成的衍射效果被大幅度降低，可以有效加強源漏極圖形邊緣的曝光對比強度，增厚源漏極圖形邊緣光刻膠，減少源漏極圖形被侵蝕的程度，最終有效減少多余的半導體層的寬度。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中采用HTM?Mask制備的陣列基板結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例一掩模板的截面示意圖；

圖3為本實用新型實施例二掩模板的平面示意圖；

圖4為本實用新型實施例三掩模板的平面示意圖。

附圖標記：

11-柵極層；12-半導體層；13-源漏極層；100-不透光區(qū)域；200-半透光區(qū)域；21-掩模基板；22-相位偏轉膜；110-對應陣列基板數(shù)據(jù)線圖形的不透光區(qū)域；120-對應陣列基板源漏極圖形的不透光區(qū)域。

具體實施方式