[實(shí)用新型]一種掩模板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320229648.7
• 申請(qǐng)日: 2013-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN203232243U
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊海鵬;尹傛俊;涂志中;金在光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/32
• 分類號(hào): G03F1/32
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種掩模板，包括掩模基板以及形成在所述掩模基板上的至少一個(gè)圖案區(qū)域，所述圖案區(qū)域包括有不透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，其特征在于，在所述不透光區(qū)域的兩側(cè)存在完全透光區(qū)域時(shí)，其中一側(cè)的完全透光區(qū)域覆蓋有相位偏轉(zhuǎn)膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述相位偏轉(zhuǎn)膜的相位偏轉(zhuǎn)角度為150-180°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，當(dāng)采用波長(zhǎng)為365nm的光時(shí)，所述相位偏轉(zhuǎn)膜的相位偏轉(zhuǎn)角度為180°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的掩模板，其特征在于，所述圖案區(qū)域包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和完全透光區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)陣列基板上的源漏極區(qū)域，所述半透光區(qū)域?qū)?yīng)陣列基板上的位于源漏極中間的溝道區(qū)域，所述完全透光區(qū)域位于所述不透光區(qū)域兩側(cè)，其中一側(cè)所述完全透光區(qū)域覆蓋有所述相位偏轉(zhuǎn)膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述不透光區(qū)域包括對(duì)應(yīng)陣列基板上的源漏極區(qū)域和數(shù)據(jù)線區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述半透光區(qū)域?qū)?yīng)陣列基板上位于源漏極中間的溝道區(qū)域采用具有半透過率的相位偏轉(zhuǎn)膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述具有半透過率的相位偏轉(zhuǎn)膜的透過率為30%-70%。