[實用新型]光源組件有效
| 申請號: | 201320206700.7 | 申請日: | 2013-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN203242622U | 公開(公告)日: | 2013-10-16 |
| 發明(設計)人: | 陳正言;李允立;蘇柏仁 | 申請(專利權)人: | 新世紀光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光源 組件 | ||
技術領域
本實用新型是有關于一種光源組件,且特別是有關于一種以發光二極管晶片作為光源的光源組件。
背景技術
發光二極管具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點,因此已被廣泛應用于家用及各種設備中的指示器或光源。近年來,發光二極管已朝高功率發展,因此其應用領域已擴展至道路照明、大型戶外看板、交通信號燈及相關領域。在未來,發光二極管甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
一般來說,發光二極管光源組件是將多個發光二極管晶片以矩陣排列的方式配置于基板上。然而,相鄰兩發光二極管晶片所發出的側向光會被彼此所吸收,因而導致發光二極管晶片所發出的側向光無法有效被利用,進而降低發光二極管光源組件的出光效率。
發明內容
本實用新型提供一種光源組件,其具有良好的出光效率。
本實用新型的光源組件包括一基板、多個第一發光二極管晶片與至少一第二發光二極管晶片。基板具有一上表面。多個第一發光二極管晶片配置于上表面上且與基板電性連接。第二發光二極管晶片配置于上表面上且與基板電性連接。每一第一發光二極管晶片相對遠離基板的上表面的一頂面至上表面相隔一第一距離,第二發光二極管晶片相對遠離基板的上表面的一頂面至上表面相隔一第二距離,且第二距離大于每一第一距離。
在本實用新型的一實施例中,上述的基板包括多個第一接墊與多個第二接墊。多個第一接墊內埋于基板的上表面,其中每一第一接墊的一表面略切齊于基板的上表面。每一第一發光二極管晶片經由相對應的第一接墊電性連接基板。多個第二接墊配置于基板的上表面上,其中第二發光二極管晶片經由相對應的第二接墊電性連接基板。
在本實用新型的一實施例中,上述的每一第一發光二極管晶片包括一第一晶片基板、一第一半導體層以及多個第一電極。第二發光二極管晶片包括一第二晶片基板、一第二半導體層以及多個第二電極。第二晶片基板的厚度大于每一第一晶片基板的厚度,且第一電極與第二電極皆配置于基板的上表面上。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二晶片基板的厚度介于每一第一晶片基板的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d’’倍之間,其中S為第一發光二極管晶片與第二發光二極管晶片間距,d”為第一晶片基板的厚度,θ為第一發光二極管晶片的出光角。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二發光二極管晶片位在任兩相鄰的第一發光二極管晶片之間。
在本實用新型的一實施例中,上述的第一發光二極管晶片圍繞第二發光二極管晶片。
在本實用新型的一實施例中,上述的第一發光二極管晶片為多個覆晶式發光二極管晶片。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二發光二極管晶片為一覆晶式發光二極管晶片。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二距離為每一第一距離的1倍至1+Scot(θ/2)/d倍之間,其中S為第一發光二極管晶片與第二發光二極管晶片間距,d為第一距離,θ為第一發光二極管晶片的出光角。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二發光二極管晶片側表面具有高反射率的物質。
基于上述,由于本實用新型的光源組件是利用第二發光二極管晶片相對遠離基板的上表面的一頂面到基板的上表面的距離大于每一第一發光二極管晶片相對遠離基板的上表面的一頂面到基板的上表面的距離,因此第二發光二極管晶片可有效反射來自第一發光二極管晶片的側向光線,進而使光源組件具有良好的出光效率。
為讓本實用新型的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為本實用新型的一實施例的一種光源組件的剖面示意圖;
圖2為本實用新型的另一實施例的一種光源組件的剖面示意圖;
圖3為本實用新型的又一實施例的一種光源組件的俯視示意圖;
圖4為本實用新型的再一實施例的一種光源組件的俯視示意圖。
附圖標記說明:
100、200、300、400:光源組件;
120、220、320:基板;
120a、220a:上表面;
124:第一接墊;
124a:表面;
126:第二接墊;
140、240、340、440:第一發光二極管晶片;
140a、160a、240a、260a:頂面;
160、260、360、460:第二發光二極管晶片;
242:第一晶片基板;
244:第一半導體層;
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