[實用新型]光源組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320206700.7
• 申請日: 2013-04-22
• 公開（公告）號: CN203242622U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳正言;李允立;蘇柏仁
• 申請（專利權(quán)）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種光源組件，其特征在于，包括：

一基板，具有一上表面；

多個第一發(fā)光二極管晶片，配置于該上表面上且與該基板電性連接；以及

至少一第二發(fā)光二極管晶片，配置于該上表面上且與該基板電性連接，其中各該第一發(fā)光二極管晶片相對遠離該基板的該上表面的一頂面至該上表面相隔一第一距離，該第二發(fā)光二極管晶片相對遠離該基板的該上表面的一頂面至該上表面相隔一第二距離，且該第二距離大于各該第一距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該基板包括：

多個第一接墊，內(nèi)埋于該基板的該上表面，其中各該第一接墊的一表面略切齊于該基板的該上表面，且各該第一發(fā)光二極管晶片經(jīng)由相對應(yīng)的該些第一接墊電性連接該基板；以及

多個第二接墊，配置于該基板的該上表面上，其中該第二發(fā)光二極管晶片經(jīng)由相對應(yīng)的該些第二接墊電性連接該基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，各該第一發(fā)光二極管晶片包括一第一晶片基板、一第一半導(dǎo)體層以及多個第一電極，該第二發(fā)光二極管晶片包括一第二晶片基板、一第二半導(dǎo)體層以及多個第二電極，該第二晶片基板的厚度大于該第一晶片基板的厚度，且該些第一電極與該些第二電極皆配置于該基板的該上表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光源組件，其特征在于，該第二晶片基板的厚度介于各該第一晶片基板的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d”倍之間，其中S為第一發(fā)光二極管晶片與第二發(fā)光二極管晶片間距，d”為第一晶片基板的厚度，θ為第一發(fā)光二極管晶片的出光角。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該第二發(fā)光二極管晶片位在任兩相鄰的該些第一發(fā)光二極管晶片之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該些第一發(fā)光二極管晶片圍繞該第二發(fā)光二極管晶片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該些第一發(fā)光二極管晶片為多個覆晶式發(fā)光二極管晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該第二發(fā)光二極管晶片為一覆晶式發(fā)光二極管晶片。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該第二距離為各該第一距離的1倍至1+Scot(θ/2)/d倍之間，其中S為第一發(fā)光二極管晶片與第二發(fā)光二極管晶片間距，d為第一距離，θ為第一發(fā)光二極管晶片的出光角。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源組件，其特征在于，該第二發(fā)光二極管晶片側(cè)表面具有高反射率的物質(zhì)。