[實(shí)用新型]低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320192991.9
• 申請日: 2013-04-17
• 公開（公告）號: CN203232347U
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉春
• 申請（專利權(quán)）人: 成都掌握移動信息技術(shù)有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種電壓源，尤其涉及一種低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源。

背景技術(shù)

共源共柵電流鏡的輸出阻抗高，屏蔽特性好，溝道長度調(diào)制效應(yīng)小，它在模擬電路中的應(yīng)用非常廣泛，但由于它需消耗多一級的電壓余度，從而降低了其輸出電壓擺幅。如自偏置的共源共柵電流鏡的一個主要缺點(diǎn)就是輸出電壓擺幅的嚴(yán)重?fù)p耗，因而它在低電源電壓應(yīng)用中受限。一般的共源共柵電流鏡的柵偏置電壓只是滿足使級聯(lián)管工作在飽和區(qū)的條件，并未考慮其輸出電壓擺幅限制。對于低壓共源共柵電流鏡，需要精確的設(shè)計(jì)其偏置電壓使得各級聯(lián)管均工作在飽和區(qū)邊緣而不脫離飽和區(qū)。因此可以通過優(yōu)化設(shè)計(jì)其偏置電路來提高輸出電壓擺幅。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種結(jié)構(gòu)簡單、效率高、工作狀態(tài)穩(wěn)定的低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案：

一種低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七M(jìn)OS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管，所述第七M(jìn)OS管的源極、所述第五MOS管的源極、所述第一MOS管的源極、所述第三MOS管的源極、第九MOS管的源極、所述第十一MOS管的源極、所述第十三MOS管的源極和所述第十五MOS管的源極連接后再與電壓輸入端連接，所述第七M(jìn)OS管的漏極與所述第八MOS管的源極連接，所述第五MOS管的柵極分別與所述第八MOS管的柵極、所述第六MOS管的柵極、所述第六MOS管的漏極和所述第十八MOS管的漏極，所述第六MOS管的源極分別與所述第五MOS管的漏極和所述第二MOS管的源極連接，所述第一MOS管的漏極與所述第二MOS管的源極連接，所述第二MOS管的柵極與所述第四MOS管的柵極連接，所述第一MOS管的柵極分別與所述第三MOS管的柵極、所述第二MOS管的漏極和所述第十九MOS管的漏極連接，所述第三MOS管的漏極與所述第四MOS管的源極連接，所述第四MOS管的漏極分別與所述第七M(jìn)OS管的柵極、所述第九MOS管的源極和所述第二十MOS管的漏極連接，所述第四MOS管的源極與所述第十MOS管的源極連接，所述第九MOS管的漏極與所述第十MOS管的源極連接，所述第十MOS管的漏極分別與所述第一電阻的第一端和所述第十九MOS管的柵極連接，所述第九MOS管的柵極與所述第十一MOS管的源極連接，所述第十MOS管的柵極與所述第十二MOS管的源極連接，所述第十一MOS管的漏極與所述第十二MOS管的源極連接，所述第十二MOS管的漏極與所述第二電阻的第一端連接，所述第十一MOS管的柵極與所述第十三MOS管的柵極連接，所述第十二MOS管的柵極與所述第十四MOS管的柵極連接，所述第十三MOS管的源極與所述第十五MOS管的柵極連接，所述第十三MOS管的漏極與所述第十四MOS管的源極連接，所述第十四MOS管的漏極與所述第三電阻的第一端連接后再與外接電路連接，所述第十五MOS管的漏極與所述第十六MOS管的源極連接，所述第十六MOS管的漏極分別與所述第二十MOS管的柵極和所述第四三極管的發(fā)射極連接，所述第十九MOS管的源極分別與所述第二十一MOS管的漏極和所述第二十MOS管的源極連接，所述第一電阻的第二端與所述第一三極管的發(fā)射極連接，所述第二電阻的第二端分別與所述第一三極管的基極和所述第二三極管的發(fā)射極連接，所述第三電阻的第二端分別與所述第四三極管的基極和所述第三三極管的發(fā)射極連接，所述第八MOS管的漏極分別與所述第十七M(jìn)OS管的漏極、所述第十七M(jìn)OS管的柵極和所述第十八MOS管的柵極連接，所述第十八MOS管的源極與所述第二十一MOS管的柵極連接，所述第十七M(jìn)OS管的源極、所述第十八MOS管的源極、所述第二十一MOS管的源極、所述第一三極管的集電極、所述第二三極管的集電極、所述第二三極管的基極、所述第三三極管的基極、所述第三三極管的集電極和所述第四三極管的集電極連接后接地。

本實(shí)用新型的有益效果在于：

本實(shí)用新型低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的結(jié)構(gòu)簡單、效率高、并且工作狀態(tài)穩(wěn)定。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明：

如圖1所示，本實(shí)用新型低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七M(jìn)OS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七M(jìn)OS管M17、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19、第二十MOS管M20、第二十一MOS管M21、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一三極管VT1、第二三極管VT2、第三三極管VT3、第四三極管VT4，第七M(jìn)OS管M7的源極、第五MOS管M5的源極、第一MOS管M1的源極、第三MOS管M3的源極、第九MOS管M9的源極、第十一MOS管M11的源極、第十三MOS管M13的源極和第十五MOS管M15的源極連接后再與電壓輸入端連接，第七M(jìn)OS管M7的漏極與第八MOS管M8的源極連接，第五MOS管M5的柵極分別與第八MOS管M8的柵極、第六MOS管M6的柵極、第六MOS管M6的漏極和第十八MOS管M18的漏極，第六MOS管M6的源極分別與第五MOS管M5的漏極和第二MOS管M2的源極連接，第一MOS管M1的漏極與第二MOS管M2的源極連接，第二MOS管M2的柵極與第四MOS管M4的柵極連接，第一MOS管M1的柵極分別與第三MOS管M3的柵極、第二MOS管M2的漏極和第十九MOS管M19的漏極連接，第三MOS管M3的漏極與第四MOS管M4的源極連接，第四MOS管M4的漏極分別與第七M(jìn)OS管M7的柵極、第九MOS管M9的源極和第二十MOS管M20的漏極連接，第四MOS管M4的源極與第十MOS管M10的源極連接，第九MOS管M9的漏極與第十MOS管M10的源極連接，第十MOS管M10的漏極分別與第一電阻R1的第一端和第十九MOS管M19的柵極連接，第九MOS管M9的柵極與第十一MOS管M11的源極連接，第十MOS管M10的柵極與第十二MOS管M12的源極連接，第十一MOS管M11的漏極與第十二MOS管M12的源極連接，第十二MOS管M12的漏極與第二電阻R2的第一端連接，第十一MOS管M11的柵極與第十三MOS管M13的柵極連接，第十二MOS管M12的柵極與第十四MOS管M14的柵極連接，第十三MOS管M13的源極與第十五MOS管M15的柵極連接，第十三MOS管M13的漏極與第十四MOS管M14的源極連接，第十四MOS管M14的漏極與第三電阻R3的第一端連接后再與外接電路連接，第十五MOS管M15的漏極與第十六MOS管M16的源極連接，第十六MOS管M16的漏極分別與第二十MOS管M20的柵極和第四三極管VT4的發(fā)射極連接，第十九MOS管M19的源極分別與第二十一MOS管M21的漏極和第二十MOS管M20的源極連接，第一電阻R1的第二端與第一三極管VT1的發(fā)射極連接，第二電阻R2的第二端分別與第一三極管VT1的基極和第二三極管VT2的發(fā)射極連接，第三電阻R3的第二端分別與第四三極管VT4的基極和第三三極管VT3的發(fā)射極連接，第八MOS管M8的漏極分別與第十七M(jìn)OS管M17的漏極、第十七M(jìn)OS管M17的柵極和第十八MOS管M18的柵極連接，第十八MOS管M18的源極與第二十一MOS管M21的柵極連接，第十七M(jìn)OS管M17的源極、第十八MOS管M18的源極、第二十一MOS管M21的源極、第一三極管VT1的集電極、第二三極管VT2的集電極、第二三極管VT2的基極、第三三極管VT3的基極、第三三極管VT3的集電極和第四三極管VT4的集電極連接后接地。