[實用新型]低電壓帶隙基準電壓源

有效

• 申請號: 201320192991.9
• 申請日: 2013-04-17
• 公開（公告）號: CN203232347U
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 葉春
• 申請（專利權）人: 成都掌握移動信息技術有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低電壓帶隙基準電壓源，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管，所述第七MOS管的源極、所述第五MOS管的源極、所述第一MOS管的源極、所述第三MOS管的源極、第九MOS管的源極、所述第十一MOS管的源極、所述第十三MOS管的源極和所述第十五MOS管的源極連接后再與電壓輸入端連接，所述第七MOS管的漏極與所述第八MOS管的源極連接，所述第五MOS管的柵極分別與所述第八MOS管的柵極、所述第六MOS管的柵極、所述第六MOS管的漏極和所述第十八MOS管的漏極，所述第六MOS管的源極分別與所述第五MOS管的漏極和所述第二MOS管的源極連接，所述第一MOS管的漏極與所述第二MOS管的源極連接，所述第二MOS管的柵極與所述第四MOS管的柵極連接，所述第一MOS管的柵極分別與所述第三MOS管的柵極、所述第二MOS管的漏極和所述第十九MOS管的漏極連接，所述第三MOS管的漏極與所述第四MOS管的源極連接，所述第四MOS管的漏極分別與所述第七MOS管的柵極、所述第九MOS管的源極和所述第二十MOS管的漏極連接，所述第四MOS管的源極與所述第十MOS管的源極連接，所述第九MOS管的漏極與所述第十MOS管的源極連接，所述第十MOS管的漏極分別與所述第一電阻的第一端和所述第十九MOS管的柵極連接，所述第九MOS管的柵極與所述第十一MOS管的源極連接，所述第十MOS管的柵極與所述第十二MOS管的源極連接，所述第十一MOS管的漏極與所述第十二MOS管的源極連接，所述第十二MOS管的漏極與所述第二電阻的第一端連接，所述第十一MOS管的柵極與所述第十三MOS管的柵極連接，所述第十二MOS管的柵極與所述第十四MOS管的柵極連接，所述第十三MOS管的源極與所述第十五MOS管的柵極連接，所述第十三MOS管的漏極與所述第十四MOS管的源極連接，所述第十四MOS管的漏極與所述第三電阻的第一端連接后再與外接電路連接，所述第十五MOS管的漏極與所述第十六MOS管的源極連接，所述第十六MOS管的漏極分別與所述第二十MOS管的柵極和所述第四三極管的發射極連接，所述第十九MOS管的源極分別與所述第二十一MOS管的漏極和所述第二十MOS管的源極連接，所述第一電阻的第二端與所述第一三極管的發射極連接，所述第二電阻的第二端分別與所述第一三極管的基極和所述第二三極管的發射極連接，所述第三電阻的第二端分別與所述第四三極管的基極和所述第三三極管的發射極連接，所述第八MOS管的漏極分別與所述第十七MOS管的漏極、所述第十七MOS管的柵極和所述第十八MOS管的柵極連接，所述第十八MOS管的源極與所述第二十一MOS管的柵極連接，所述第十七MOS管的源極、所述第十八MOS管的源極、所述第二十一MOS管的源極、所述第一三極管的集電極、所述第二三極管的集電極、所述第二三極管的基極、所述第三三極管的基極、所述第三三極管的集電極和所述第四三極管的集電極連接后接地。