[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201320178233.1 | 申請日: | 2013-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN203179898U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 袁廣才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及薄膜晶體管顯示技術領域,特別是涉及一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。
背景技術
在平板顯示裝置中,薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和低輻射等特點,在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。
氧化物薄膜晶體管(Oxide?Thin?Film?Transistor,簡稱OTFT)具有超薄、重量輕、低耗電等優勢,不僅可以用于制造液晶顯示面板,而且為新一代有機發光顯示面板的有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode,簡稱OLED)的應用提供了可能,該有機發光二極管較現有的薄膜晶體管,其色彩更艷麗并且影像更清晰。
現有的陣列基板制備工藝為,在襯底基板上濺射形成柵電極,沉積柵絕緣層,沉積有源層,濺射源/漏電極,沉積鈍化層,濺射像素電極。
現有技術存在的缺陷在于,采用銅或銅合金制作的柵電極和源/漏電極,由于銅較活潑,容易擴散進入有源層,因此,銅易污染有源層,從而影響了載流子的遷移率,最終導致產品缺陷。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置,用以避免銅擴散對有源層的污染,提高產品的良率。
本實用新型薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層和源/漏電極,以及位于所述柵電極和有源層之間的柵絕緣層,其中:
所述柵電極包括柵電極金屬層和第一組保護層,所述第一組保護層位于柵電極金屬層和柵絕緣層之間,將所述有源層和所述柵電極金屬層隔離;
所述柵電極金屬層的材質為銅或銅合金。
優選的,所柵電極還包括第二組保護層,位于柵電極金屬層背離第一組保護層的一側;
所述第二組保護層包括第一柵保護層和第二柵保護層,所述第二柵保護層位于第一柵保護層和柵電極金屬層之間。
較佳的,所述第一柵保護層的材質為氮化硅或氮化鈦;和/或
所述第二柵保護層的材質為鉬鈦合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬鈮合金、鉬銅合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鋁合金、鉬錳合金、硅化鈦、硅化鎢、硅化鋯、硅化鈮、硅化銅、硅化釩、硅化鉭、硅化鎳、硅化鉻、硅化鉿、硅化銠、硅化鈷、硅化鈀、硅化鉑、硅化鋁或硅化錳。
優選的,所述第一組保護層包括第三柵保護層和第四柵保護層,所述第三柵保護層位于柵電極金屬層和第四柵保護層之間。
較佳的,所述第三柵保護層的材質為鉬鋁鈮合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬錳合金、硅化鉬或鉬鈦合金;和/或
所述第四柵保護層的材質為氮化鉬、氮硅化鉬、氮化鋁鉬、氮化銅鉬、氮化鎢鉬、氮化鋯鉬、氮化鉿鉬、氮化銠鉬、氮化釩鉬、氮化鉭鉬、氮化鎳鉬、氮化鉻鉬、氮化鈷鉬、氮化鈀鉬、氮化鉑鉬、氮化錳鉬、氮化鈦鉬、氯硅化鉬、氯化鋁鉬、氯化銅鉬、氯化鎢鉬、氯化鋯鉬、氯化鉿鉬、氯化銠鉬、氯化釩鉬、氯化鉭鉬、氯化鎳鉬、氯化鉻鉬、氯化鈷鉬、氯化鈀鉬、氯化鉑鉬、氯化錳鉬、氯化鈦鉬、磷硅化鉬、磷化鋁鉬、磷化銅鉬、磷化鎢鉬、磷化鋯鉬、磷化鉿鉬、磷化銠鉬、磷化釩鉬、磷化鉭鉬、磷化鎳鉬、磷化鉻鉬、磷化鈷鉬、磷化鈀鉬、磷化鉑鉬、磷化錳鉬或磷化鈦鉬。
優選的,所述薄膜晶體管的源/漏電極包括源/漏電極金屬層和第二源/漏保護層,所述第二源/漏保護層位于源/漏電極金屬層和有源層之間,將源/漏電極金屬層和有源層隔離;
所述源/漏電極金屬層的材質為銅或銅合金。
優選的,所述第二源/漏保護層的材質為鉬鈦合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬鈮合金、鉬銅合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鋁合金、鉬錳合金、硅化鈦、硅化鎢、硅化鋯、硅化鈮、硅化銅、硅化釩、硅化鉭、硅化鎳、硅化鉻、硅化鉿、硅化銠、硅化鈷、硅化鈀、硅化鉑、硅化鋁或硅化錳。
優選的,所述源/漏電極還包括第三組保護層,位于源/漏電極金屬層背離第二源/漏保護層的一側;
所述第三組保護層包括第三源/漏保護層和第四源/漏保護層,所述第三源/漏保護層位于源/漏電極金屬層和第四源/漏保護層之間。
較佳的,所述第三源/漏保護層的材質為鉬鋁鈮合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬錳合金、硅化鉬或鉬鈦合金;和/或
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