[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201320178233.1
• 申請日: 2013-04-10
• 公開（公告）號: CN203179898U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 杜秀科

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層和源/漏電極，以及位于所述柵電極和有源層之間的柵絕緣層，其中：

所述柵電極包括柵電極金屬層和第一組保護層，所述第一組保護層位于柵電極金屬層和柵絕緣層之間，將所述有源層和所述柵電極金屬層隔離；

所述柵電極金屬層的材質為銅或銅合金。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵電極還包括第二組保護層，位于柵電極金屬層背離第一組保護層的一側；

所述第二組保護層包括第一柵保護層和第二柵保護層，所述第二柵保護層位于第一柵保護層和柵電極金屬層之間。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵保護層的材質為氮化硅或氮化鈦；和/或

所述第二柵保護層的材質為鉬鈦合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬鈮合金、鉬銅合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鋁合金、鉬錳合金、硅化鈦、硅化鎢、硅化鋯、硅化鈮、硅化銅、硅化釩、硅化鉭、硅化鎳、硅化鉻、硅化鉿、硅化銠、硅化鈷、硅化鈀、硅化鉑、硅化鋁或硅化錳。

4.如權利要求1、2或3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一組保護層包括第三柵保護層和第四柵保護層，所述第三柵保護層位于柵電極金屬層和第四柵保護層之間。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三柵保護層的材質為鉬鋁鈮合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬錳合金、硅化鉬或鉬鈦合金；和/或

所述第四柵保護層的材質為氮化鉬、氮硅化鉬、氮化鋁鉬、氮化銅鉬、氮化鎢鉬、氮化鋯鉬、氮化鉿鉬、氮化銠鉬、氮化釩鉬、氮化鉭鉬、氮化鎳鉬、氮化鉻鉬、氮化鈷鉬、氮化鈀鉬、氮化鉑鉬、氮化錳鉬、氮化鈦鉬、氯硅化鉬、氯化鋁鉬、氯化銅鉬、氯化鎢鉬、氯化鋯鉬、氯化鉿鉬、氯化銠鉬、氯化釩鉬、氯化鉭鉬、氯化鎳鉬、氯化鉻鉬、氯化鈷鉬、氯化鈀鉬、氯化鉑鉬、氯化錳鉬、氯化鈦鉬、磷硅化鉬、磷化鋁鉬、磷化銅鉬、磷化鎢鉬、磷化鋯鉬、磷化鉿鉬、磷化銠鉬、磷化釩鉬、磷化鉭鉬、磷化鎳鉬、磷化鉻鉬、磷化鈷鉬、磷化鈀鉬、磷化鉑鉬、磷化錳鉬或磷化鈦鉬。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的源/漏電極包括源/漏電極金屬層和第二源/漏保護層，所述第二源/漏保護層位于源/漏電極金屬層和有源層之間，將源/漏電極金屬層和有源層隔離；

所述源/漏電極金屬層的材質為銅或銅合金。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二源/漏保護層的材質為鉬鈦合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬鈮合金、鉬銅合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鋁合金、鉬錳合金、硅化鈦、硅化鎢、硅化鋯、硅化鈮、硅化銅、硅化釩、硅化鉭、硅化鎳、硅化鉻、硅化鉿、硅化銠、硅化鈷、硅化鈀、硅化鉑、硅化鋁或硅化錳。

8.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源/漏電極還包括第三組保護層，位于源/漏電極金屬層背離第二源/漏保護層的一側；

所述第三組保護層包括第三源/漏保護層和第四源/漏保護層，所述第三源/漏保護層位于源/漏電極金屬層和第四源/漏保護層之間。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三源/漏保護層的材質為鉬鋁鈮合金、鉬鎢合金、鉬鋯合金、鉬釩合金、鉬鉭合金、鉬鎳合金、鉬鉻合金、鉬鈷合金、鉬鈀合金、鉬鉑合金、鉬鉿合金、鉬銠合金、鉬錳合金、硅化鉬或鉬鈦合金；和/或

所述第四源/漏保護層的材質為氮化鉬、氮硅化鉬、氮化鋁鉬、氮化銅鉬、氮化鎢鉬、氮化鋯鉬、氮化鉿鉬、氮化銠鉬、氮化釩鉬、氮化鉭鉬、氮化鎳鉬、氮化鉻鉬、氮化鈷鉬、氮化鈀鉬、氮化鉑鉬、氮化錳鉬、氮化鈦鉬、氯硅化鉬、氯化鋁鉬、氯化銅鉬、氯化鎢鉬、氯化鋯鉬、氯化鉿鉬、氯化銠鉬、氯化釩鉬、氯化鉭鉬、氯化鎳鉬、氯化鉻鉬、氯化鈷鉬、氯化鈀鉬、氯化鉑鉬、氯化錳鉬、氯化鈦鉬、磷硅化鉬、磷化鋁鉬、磷化銅鉬、磷化鎢鉬、磷化鋯鉬、磷化鉿鉬、磷化銠鉬、磷化釩鉬、磷化鉭鉬、磷化鎳鉬、磷化鉻鉬、磷化鈷鉬、磷化鈀鉬、磷化鉑鉬、磷化錳鉬或磷化鈦鉬。

10.如權利要求1～3和5～9中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管或頂柵型薄膜晶體管。