[實用新型]一種磁控濺射靶罩

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320172332.9
• 申請日: 2013-04-09
• 公開（公告）號: CN203187747U
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 孟彬;孔明;劉肖肖;徐定能
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種磁控濺射靶罩，屬于高真空磁控濺射鍍膜領域。

背景技術

在磁控濺射鍍膜過程中，從靶材濺射出來的高能粒子除了向基片凝聚、形成薄膜之外，還有一大部分會沉積到濺射室器壁及觀察窗上。伴隨著濺射鍍膜的反復進行，濺射室器壁及觀察窗表面的沉積物越來越厚，進而導致不得不花費大量的人力物力清除，而且還會使觀察窗被鍍層遮擋從而影響觀察效果。

發(fā)明內(nèi)容

為克服現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明涉及一種磁控濺射靶罩，在磁控濺射靶材和沉積基片之間設計一種罩體，在濺射鍍膜過程中，該靶材罩能夠?qū)胁暮突g的空間區(qū)域封閉起來，并有效阻斷沉積粒子向濺射室內(nèi)壁和觀察窗的沉積，降低濺射室和觀察窗的污染。

本發(fā)明的技術方案是：在磁控濺射靶4上安裝有可調(diào)節(jié)高度的磁控濺射靶罩2，磁控濺射靶罩2的上端開口，開口端對準沉積基片1。

所述磁控濺射靶4和沉積基片1放置在濺射室6內(nèi)，濺射室6上有可以觀察濺射情況的觀察窗5。

所述磁控濺射靶罩2通過螺紋與磁控濺射靶4連接，磁控濺射靶罩2的上端與沉積基片1的距離為1～2mm，以便觀察濺射時能否起輝。

所述磁控濺射靶罩需采用無磁性的不銹鋼制作，以防止靶罩的磁性對磁控濺射靶產(chǎn)生磁場的影響，使濺射鍍膜能夠順利進行。

本實用新型的有益效果是：采用無磁性的不銹鋼作為罩體材料，并根據(jù)磁控靶的直徑設計該罩體的直徑，根據(jù)磁控靶與基片的高度設計該罩體的高度，使罩體充分圍擋在靶材與基片之間，有效阻斷沉積粒子向濺射室內(nèi)壁和觀察窗的沉積，降低濺射室和觀察窗的污染。在高度的設計方面，考慮到磁控濺射過程中觀察起輝的方便，故在磁控濺射靶罩與基片之間預留1-2mm的間距，以便觀察起輝情況。利用螺紋使該罩體與磁控濺射靶連接，通過螺紋的旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)磁控靶罩的高度，進而適應磁控濺射靶和基片之間距離的變化。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1-沉積基片，2-磁控濺射靶罩，3-螺紋，4-磁控濺射靶，5-觀察窗，6-濺射室。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式，對本實用新型作進一步說明。

實施方式一：如圖1所示，本實施例的結(jié)構(gòu)為：在磁控濺射靶4上安裝有可調(diào)節(jié)高度的磁控濺射靶罩2，磁控濺射靶罩2的上端開口，開口端對準沉積基片1。磁控濺射靶4和沉積基片1放置在濺射室6內(nèi)，濺射室6上有可以觀察濺射情況的觀察窗5。磁控濺射靶罩2通過螺紋與磁控濺射靶4連接，磁控濺射靶罩2的上端與沉積基片1始終保持1mm的距離，以便觀察濺射時能否起輝。磁控濺射靶罩需采用無磁性的不銹鋼制作，以防止靶罩的磁性對磁控濺射靶產(chǎn)生磁場的影響，使濺射鍍膜能夠順利進行。

實施方式二：如圖1所示，本實施例的結(jié)構(gòu)為：在磁控濺射靶4上安裝有可調(diào)節(jié)高度的磁控濺射靶罩2，磁控濺射靶罩2的上端開口，開口端對準沉積基片1。磁控濺射靶4和沉積基片1放置在濺射室6內(nèi)，濺射室6上有可以觀察濺射情況的觀察窗5。磁控濺射靶罩2通過螺紋與磁控濺射靶4連接，磁控濺射靶罩2的上端與沉積基片1始終保持2mm的距離，以便觀察濺射時能否起輝。磁控濺射靶罩需采用無磁性的不銹鋼制作，以防止靶罩的磁性對磁控濺射靶產(chǎn)生磁場的影響，使濺射鍍膜能夠順利進行。

實施方式三：如圖1所示，本實施例的結(jié)構(gòu)為：在磁控濺射靶4上安裝有可調(diào)節(jié)高度的磁控濺射靶罩2，磁控濺射靶罩2的上端開口，開口端對準沉積基片1。磁控濺射靶4和沉積基片1放置在濺射室6內(nèi)，濺射室6上有可以觀察濺射情況的觀察窗5。磁控濺射靶罩2通過螺紋與磁控濺射靶4連接，磁控濺射靶罩2的上端與沉積基片1始終保持1.6mm的距離，以便觀察濺射時能否起輝。磁控濺射靶罩需采用無磁性的不銹鋼制作，以防止靶罩的磁性對磁控濺射靶產(chǎn)生磁場的影響，使濺射鍍膜能夠順利進行。

以上結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式作了詳細說明，但是本實用新型并不限于上述實施方式，在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。