[實用新型]集成電路芯片封裝結構有效

申請號：	201320167283.X	申請日：	2013-04-07
公開（公告）號：	CN203351599U	公開（公告）日：	2013-12-18
發明（設計）人：	吳偉峰;羅立輝;馬明智	申請（專利權）人：	寧波芯健半導體有限公司
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146
代理公司：	浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100	代理人：	徐關壽;趙芳
地址：	315327 浙江省寧波市***	國省代碼：	浙江;33
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	集成電路芯片封裝結構
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及一種集成電路芯片封裝結構,尤其涉及晶圓級芯片尺寸封裝結構。?

背景技術

圖像傳感器在消費類電子產品如智能手機、i-Pad平板電腦中已經成為標準配置，市場量巨大。消費類電子產品要求封裝的芯片輕小短薄化和高性價比，用晶圓級封裝技術封裝圖像傳感芯片符合這一發展要求。然而，隨著圖像傳感芯片向高像素（如800萬像素）發展，用WLP（晶圓級封裝）封裝8英寸的CIS（圖像傳感器）晶圓在性價比上沒有明顯優勢，封裝12英寸的CIS晶圓成為選擇。相對于8英寸CIS晶圓，12英寸（或更大尺寸）CIS晶圓一般采用銅制程取代鋁制程，WLP工藝中更容易出現裂片和翹曲現象。一般對12英寸CIS的WLP流程如下：玻璃與CIS晶圓壓合，晶圓背面減薄，光刻露出切割道，等離子體刻蝕暴露芯片焊墊（pad），光刻膠剝離，用絕緣物填充切割道，用激光或機械切割暴露焊墊，依次沉積Ti（或TiW其他黏附層）、Cu薄膜，電鍍Cu，光刻形成線路，化學Ni和Au，光刻膠剝離，Cu和Ti（或TiW其他黏附層）刻蝕除去，光敏性阻焊油墨保護線路但暴露長錫球地方，印刷錫膏，回流焊錫球形成，打標和切割。?

目前WLP封裝工藝流程中在在濺射Cu后由于濺射厚度薄而采取再次電鍍的工藝這一環節中所產生以下幾個缺點1：所覆Cu表面均勻性不好，產生應力容易翹曲和裂片；2：在刻蝕過程中側向腐蝕時間增加。3：因為大面積電鍍成本增加。?

發明內容

為克服現有WLP集成電路封裝結構及封裝工藝的上述不足，本實用新型提供一種集成電路芯片封裝結構，可實現工藝的革新從而克服上述問題。?

本實用新型解決其技術問題的技術方案是：集成電路芯片封裝結構，包括第一玻璃層，所述第一玻璃層的背面設有腔壁；?

還包括芯片，所述芯片的正面具有光學圖像傳感元件，圍繞所述的光學圖像傳感元件設有若干焊墊，所述的焊墊與所述的腔壁對應并與所述的腔壁壓合；

所述芯片的背面開設有與所述的焊墊相對應的開口，該芯片的背面還設有一層絕緣層且該絕緣層不覆蓋所述開口處的焊墊，所述的焊墊設有切割道；

在所述絕緣層外濺射有沉積層，所述的沉積層與所述焊墊的具有切割道的面相接觸，所述的沉積層經光刻后形成電路且在該沉積層還電鍍有一層電鍍銅層，所述的電鍍銅層經過光刻后形成電路；

在所述的開口內填充有絕緣材料；

在所述的電鍍銅層及絕緣材料外還設有一層光敏性阻焊油墨，所述的光敏性阻焊油墨上設有錫球開口，所述的錫球開口內焊有錫球。

進一步，所述的沉積層可為Ti與Cu復合沉積層或TiW與Cu復合沉積層。?

本實用新型的有益效果在于：通過采用本實用新型的結構，可以實現首先沉積一沉積層，然后進行光刻初步形成線路，再次電鍍Cu，最后再光刻形成線路的工藝，可克服現有工藝中存在的問題。?

附圖說明