[實用新型]一種化學氣相沉積升降裝置有效
| 申請號： | 201320161480.0 | 申請日： | 2013-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN203174199U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 何其保;奚曉明 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/458 | 分類號： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化學 沉積 升降 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種化學氣相沉積升降裝置，其特征在于，所述化學氣相沉積升降裝置至少包括：靜電吸盤、升降頂桿和夾持件；所述升降頂桿呈L型，升降頂桿的頂端穿過所述靜電吸盤；所述升降頂桿的尾端插設于所述夾持件中；所述夾持件的上表面作為卡板從豎直方向上卡住升降頂桿尾端。
2.根據權利要求1所述的化學氣相沉積升降裝置，其特征在于：化學氣相沉積升降裝置包括至少三條所述升降頂桿，每一條升降頂桿由一個夾持件所夾持。
3.根據權利要求1所述的化學氣相沉積升降裝置，其特征在于：所述夾持件具有一容納所述升降頂桿尾端的空間，所述夾持件側面設有一升降頂桿尾端插入的缺口。
4.根據權利要求1所述的化學氣相沉積升降裝置，其特征在于：所述升降頂桿的尾端中設有第一孔體。
5.根據權利要求3所述的化學氣相沉積升降裝置，其特征在于：所述夾持件上設有穿透自身側壁且與所述第一孔體相匹配的第二孔體。
6.根據權利要求1所述的化學氣相沉積升降裝置，其特征在于：所述化學氣相沉積升降裝置還包括一固定件，該固定件插設于所述第一孔體和第二孔體中。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
