[實用新型]一種具有雙面腔體的封裝外殼

有效

• 申請號: 201320154863.5
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN203165873U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 郭清軍;劉文平;黃桂龍;李昕
• 申請（專利權）人: 中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所
• 主分類號: H01L23/043
• 分類號: H01L23/043
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 汪人和

技術領域

本實用新型屬于混合集成電路封裝技術領域，涉及一種具有雙面腔體的封裝外殼。

背景技術

目前混合集成電路的封裝外殼大多數是金屬外殼，引腳是針式的，引腳間距是2.54mm，窄間距的是1.27mm，受到封裝尺寸和引腳引出方式的限制，引腳的數量一般不會超過封裝周長除以引腳間距。高密度的混合集成電路和系統集成電路的封裝開始采用陶瓷外殼，引腳方式有針式直插、針柵陣列（PGA）、球柵陣列（BGA）、CQFP等，但這些均是單面單腔體的封裝外殼，受封裝外形尺寸的限制，內腔尺寸不能滿足多芯片、高密度的集成。

實用新型內容

本實用新型解決的技術問題在于提供一種具有雙面腔體的封裝外殼，能夠使多芯片高密度混合集成電路的控制邏輯與模擬電源封裝在小的封裝體內，實現高密度封裝。

本實用新型是通過以下技術方案來實現：

一種具有雙面腔體的封裝外殼，包括內布有導線的陶瓷基底，陶瓷基底與下陶瓷墻、下蓋板合圍構成下腔體，陶瓷基底與上陶瓷墻、上蓋板合圍構成上腔體。

所述的陶瓷基底的上下面的四周均設有陶瓷墻。

所述的下蓋板、上蓋板上均設有供粘接元器件芯片的金屬導帶圖形和與金屬導帶互連的鍵合指。

所述的下陶瓷墻上植入有外引腳形成電路的I/O引腳。

所述的引腳從四邊引出直插式，間距為1.27mm，引腳截面積是0.46mm×0.25mm，每邊17腳，共68腳。

所述的下陶瓷墻與下蓋板通過下封焊環相連接，上陶瓷墻與上蓋板通過上封焊環相連接。

所述的上陶瓷墻與上蓋板通過上封焊環平行縫焊；下陶瓷墻與下蓋板通過下封焊環金錫封口。

所述陶瓷基底上形成上腔體的面積大于形成下腔體的面積。

所述的下腔體內組裝有控制器芯片或驅動器芯片，上腔體內組裝有電源轉換電路。

所述的下腔體內元器件的組裝完成后，下陶瓷墻與下蓋板下腔體金錫封口；再進行上腔體內元器件的組裝，組裝完成后將上陶瓷墻與上蓋板行平行縫焊。

與現有技術相比，本實用新型具有以下有益的技術效果：

本實用新型提供的具有雙面腔體的封裝外殼，可以將控制器芯片或驅動器芯片（控制邏輯）封裝在下腔體內，將電源轉換電路（模擬電源）封裝在上腔體內，上下腔體的電信號通過導線連通，從而能夠使多芯片高密度混合集成電路封裝在小的封裝體內，實現高密度封裝。

本實用新型提供的具有雙面腔體的封裝外殼，體積小（可達28.0mm×28.0mm×8.0mm），而且還能夠具有多達68腳的引腳數。

本發明提供的具有雙面腔體的封裝外殼，是一種高密度的三維組裝/封裝，達到了系統集成在電性能、封裝尺寸的要求。采用具有雙面腔體的封裝外殼的LHB155304P電路的可靠性達到GJB2438A-2002H級。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型底部示意圖；

其中：1-下蓋板，2-下腔體，3-引腳，4-下封焊環，5-下陶瓷墻，6-上陶瓷墻，7-上封焊環，8-上蓋板，9-上腔體，10-陶瓷基底。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型做進一步詳細描述，所述是對本實用新型的解釋而不是限定。

參見圖1、圖2，一種具有雙面腔體的封裝外殼，包括內布有導線的陶瓷基底10，陶瓷基底10與下陶瓷墻5、下蓋板1合圍構成下腔體2，陶瓷基底10與上陶瓷墻6、上蓋板8合圍構成上腔體9。

進一步，所述的陶瓷基底10的上下面的四周均設有陶瓷墻與相應的蓋板配合形成上下兩個腔體；陶瓷基底內布有導線，以連接上、下腔體內封裝的元件。為了適應不同器件的安裝，下腔體、上腔體的尺寸可不相同。具體的陶瓷基底10上形成上腔體9的面積大于形成下腔體2的面積。

具體的陶瓷基底為高溫陶瓷，

所述的下蓋板1、上蓋板8上均設有供粘接元器件芯片的金屬導帶圖形和與金屬導帶互連的鍵合指。所述的下陶瓷墻5的墻面較寬，在其上植入有外引腳，以形成電路的I/O引腳。所述的引腳從四邊引出直插式，間距為1.27mm，引腳截面積是0.46mm×0.25mm，每邊17腳，共68腳。

所述的下陶瓷墻5與下蓋板1通過下封焊環4相連接，上陶瓷墻6與上蓋板8通過上封焊環7相連接。上、下封焊環和上、下蓋板均是可伐材料，與陶瓷和芯片有相近的熱膨脹系數。

具體的所述的上陶瓷墻6與上蓋板8通過上封焊環7平行縫焊；下陶瓷墻5與下蓋板1通過下封焊環4金錫封口。