[實用新型]一種陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201320154746.9
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN203179884U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 齊永蓮;舒適;惠官寶
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/32;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

技術領域

本實用新型屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、顯示裝置。

背景技術

隨著技術的發展，平板顯示裝置已取代笨重的CRT顯示裝置成為目前的主流顯示裝置。目前，常用的平板顯示裝置包括LCD（Liquid?Crystal?Display：液晶顯示裝置）和OLED（Organic?Light-Emitting?Diode:有機電致發光二極管）顯示裝置。

液晶顯示裝置包括陣列基板和彩膜基板，二者之間填充有液晶。陣列基板上設置有薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor：簡稱TFT），薄膜晶體管是光線是否能夠射出顯示裝置的控制部件，其包括柵極層、柵極絕緣層、有源層、鈍化層、源漏極層等多個層結構；彩膜基板上設置有彩膜層(又稱彩色濾光片)，彩膜層是顯示裝置能夠彩色化的關鍵部件，其包括紅、綠、藍等多個顏色子層。背光源發出的白光經過彩膜層，利用彩膜層的彩色光阻分別產生紅、綠、藍三基色；同時，通過薄膜晶體管陣列調節加載于電極上的電壓，使液晶分子發生偏轉以控制光線的通過，可以改變三基色的比例，最終實現圖像的彩色顯示。在液晶顯示裝置的制造過程中，一般是將彩膜基板和陣列基板分別制造出來，然后將彩膜基板與陣列基板對合封裝起來。為保證液晶面板的正常工作，陣列基板和彩膜基板的對位壓盒精度要求很高。

OLED是一種利用有機固態半導體作為發光材料的發光器件，OLED顯示裝置正是利用OLED來實現圖像顯示的顯示裝置。其中，尤其以白光有機發光二極管(White?OLED：即WOLED)的技術最為成熟，穩定性好、制備工藝簡單，故在顯示裝置中獲得了廣泛應用。與液晶顯示裝置相同，在WOLED顯示裝置中采用彩膜層來實現彩色化。

在液晶顯示裝置或WOLED顯示裝置中，每個外界可見的最小像素點(即“可見像素”)由多個像素單元構成，每個像素單元中具有不同顏色的彩膜層，從而經過不同像素單元的的光線在經過彩膜層后變為不同顏色，這些不同顏色的光混合成為“可見像素”發出的光。

隨著顯示技術的進步，目前，在WOLED顯示裝置中出現了將彩膜層設在陣列基板上(Color?Filter?on?Array，簡稱COA)以實現彩色顯示的模式。如圖1所示，在已經形成了薄膜晶體管主體層2（包括柵極層21、柵極絕緣層22、有源層23、源漏極層24和鈍化層25（Passivation，簡稱PVX））后的陣列基板上，采用光刻工藝（包括涂布、曝光、顯影等多個步驟）在鈍化層25的上方形成彩膜層5，如圖1A所示；然后在彩膜層5上方形成平坦保護層4，最后形成像素電極過孔6，如圖1B所示。采用該模式，可以省去單獨的彩膜基板的制造，不需要考慮彩膜基板與陣列基板的對位壓盒精度；而且制成的陣列基板具有較好的穩定性，所以成為目前較常采用的WOLED顯示裝置全彩實現方法。但是，如圖1所示，薄膜晶體管主體層的鈍化層25中還具有像素電極過孔6（Via?Hole），先在薄膜晶體管主體層2上方形成像素電極過孔6，然后采用光刻工藝形成彩膜層5時，光刻工藝中涂布光阻材料的步驟以及顯影步驟中采用的顯影液中的金屬離子、水分子等會對薄膜晶體管的特性造成影響；又，先在薄膜晶體管主體層2上方形成彩膜層5，然后在鈍化層25中刻蝕形成像素電極過孔6時，刻蝕液中的酸性物質等會對彩膜層5的特性造成影響。

在液晶顯示裝置的制造過程中，雖然可以借鑒WOLED顯示裝置實現彩色顯示的COA模式在陣列基板上形成彩膜層，但是，按現有技術中采用光刻工藝形成彩膜層的方式，同樣不可避免地將出現對薄膜晶體管的特性造成影響的問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示裝置，該陣列基板中薄膜晶體管性能更穩定，陣列基板制備工藝更簡化，成本更低，包括該陣列基板的顯示裝置性能更穩定。

解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是該陣列基板，包括基板以及位于基板上的多個子像素單元，所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層以及設于所述薄膜晶體管主體層上方的彩膜層，所述薄膜晶體管主體層包括柵極層、源極層、漏極層以及鈍化層，所述薄膜晶體管主體層上表面還設置有附加層，所述附加層對應著每一子像素單元的區域開設有中空的光阻材料容置部，所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內，所述附加層和所述鈍化層中與所述漏極層相對應的區域形成有像素電極過孔。

優選的是，所述光阻材料容置部開設于所述附加層的上表層，所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面相離；