[實用新型]一種陣列基板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201320154746.9 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN203179884U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 齊永蓮;舒適;惠官寶 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/32;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括基板以及位于所述基板上的多個子像素單元,所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層以及設于所述薄膜晶體管主體層上方的彩膜層,所述薄膜晶體管主體層包括柵極層、源極層、漏極層以及鈍化層,其特征在于,所述薄膜晶體管主體層上表面還設置有附加層,所述附加層對應著每一子像素單元的區域開設有中空的光阻材料容置部,所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內,所述附加層和所述鈍化層中與所述漏極層相對應的區域形成有像素電極過孔。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述光阻材料容置部開設于所述附加層的上表層,所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面相離;
或者,所述光阻材料容置部貫穿于所述附加層,所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面接觸。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述光阻材料容置部的形狀為倒置的四棱錐臺體形狀,或者為長方體形狀,所述光阻材料容置部的底面面積等于對應的所述子像素單元的面積。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述彩膜材料通過噴墨方式填充于所述光阻材料容置部中,以形成所述彩膜層。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述附加層中未開設所述光阻材料容置部的區域的厚度大于或等于所述彩膜層的厚度,所述光阻材料容置部的深度等于所述彩膜層的厚度。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述附加層采用正性光刻膠或負性光刻膠形成。
7.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求1-6任一項所述的陣列基板。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置中還包括有液晶層,所述液晶層設置于所述彩膜層的上方。
9.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置中還包括有機電致發光層,所述有機電致發光層設置于所述彩膜層的上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





