[實用新型]保溫基座及LPCVD爐管有效
| 申請號: | 201320145744.3 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN203179862U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 沈建飛 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/205 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保溫 基座 lpcvd 爐管 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造設備技術領域,特別涉及一種保溫基座及LPCVD爐管。
背景技術
在半導體制造工藝中,為了形成各種分立器件以及將這些分立器件連接形成集成電路,需要在晶圓的襯底上沉積不同種類的薄膜。而在各種沉積薄膜的方法中,低壓化學氣相沉積(LPCVD,Low?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition)是一種常用的方法,已經被廣泛地應用于各種薄膜的沉積工藝中。
以所需沉積的薄膜為側墻結構為例,在現有技術中的側墻二氧化硅(Spacer?Silicon?Oxide)、側墻氮化硅(Spacer?Silicon?Nitride)沉積方法中,通常會使用上述的LPCVD工藝,以在晶圓(Wafer)上沉積所需的側墻結構,例如,形成具有氧化層-氮化層-氧化層(ONO)三層結構的側墻結構,或具有氧化層-氮化層(ON)兩層結構的側墻結構等。當通過LPCVD工藝來沉積所需的薄膜(例如,側墻結構)時,一般還需要使用相應的爐管,即LPCVD爐管。
請參考圖1,其為現有的LPCVD爐管結構示意圖。如圖1所示,所述LPCVD爐管1包括:固定基座10、內管11、外管12、保溫基座13及晶舟14,其中,所述外管12置于所述內管11外側,所述內管11與所述固定基座10構成容置空間15,所述保溫基座13及晶舟14置于所述容置空間15內,且所述晶舟14置于所述保溫基座13上。
通過所述LPCVD爐管1沉積所需的薄膜時,所述晶舟14中靠近所述保溫基座13的部分晶圓,易于發生所沉積的薄膜厚度不均勻的問題?,F有技術中,調整薄膜厚度均勻性的方法主要包括:改變保溫基座13與晶舟14的相對位置;及改變保溫基座13在固定基座10上的位置。實際生產中發現,通過上述兩種方法還是不能夠很好地改善晶舟14中靠近所述保溫基座13的部分晶圓所沉積的薄膜厚度不均勻的問題。
因此,如何改善/解決晶舟中靠近保溫基座的部分晶圓所沉積的薄膜厚度不均勻的問題,成了本領域技術人員亟待解決一大難題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種保溫基座及LPCVD爐管,以解決利用現有的LPCVD爐管沉積薄膜時,晶舟中靠近保溫基座的部分晶圓所沉積的薄膜厚度不均勻的問題。
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種保溫基座,所述保溫基座包括:兩個支撐板;至少兩個支撐柱,每個支撐柱均與兩個支撐板連接,每個支撐柱上固定有支撐塊;及設置于所述支撐塊上的保溫片。
可選的,在所述的保溫基座中,支撐柱的數量為三個。
可選的,在所述的保溫基座中,兩個支撐板的形狀均為圓形。
可選的,在所述的保溫基座中,三個支撐柱分別位于兩個支撐板的三等分位置上。
可選的,在所述的保溫基座中,每個支撐柱上固定有多個支撐塊,且每個支撐柱上固定的支撐塊數量相同。
可選的,在所述的保溫基座中,每個支撐柱上相鄰兩個支撐塊的距離為1毫米~5毫米。
可選的,在所述的保溫基座中,各支撐柱上相對位置相同的支撐塊位于同一水平面上。
可選的,在所述的保溫基座中,每個支撐塊上設置有多個刻度格。
可選的,在所述的保溫基座中,每個支撐塊上相鄰兩個刻度格之間的距離為0.5毫米~2毫米。
本實用新型還提供一種LPCVD爐管,所述LPCVD爐管包括:固定基座、內管、外管、如上所述的保溫基座及晶舟,其中,所述外管置于所述內管外側,所述內管與所述固定基座構成容置空間,所述保溫基座及晶舟置于所述容置空間內,且所述晶舟置于所述保溫基座上。
在本實用新型提供的保溫基座及LPCVD爐管中,可通過改變保溫基座與晶舟的相對位置,改變保溫基座在固定基座上的位置,及改變保溫片的位置,以調整晶圓上沉積的薄膜厚度均勻性,從而可改善/解決晶舟中靠近保溫基座的部分晶圓所沉積的薄膜厚度不均勻的問題,提高了LPCVD工藝的可靠性及所形成的器件的質量。
附圖說明
圖1是現有的LPCVD爐管結構示意圖;
圖2是本實用新型實施例的保溫基座結構示意圖;
圖3是本實用新型實施例的LPCVD爐管結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的保溫基座及LPCVD爐管作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書,本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
【實施例一】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





