[實用新型]保溫基座及LPCVD爐管有效
| 申請號: | 201320145744.3 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN203179862U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 沈建飛 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/205 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保溫 基座 lpcvd 爐管 | ||
1.一種保溫基座,其特征在于,包括:
兩個支撐板;
至少兩個支撐柱,每個支撐柱均與所述兩個支撐板連接,每個支撐柱上固定有支撐塊;及
設置于所述支撐塊上的保溫片。
2.如權利要求1所述的保溫基座,其特征在于,支撐柱的數量為三個。
3.如權利要求2所述的保溫基座,其特征在于,兩個支撐板的形狀均為圓形。
4.如權利要求3所述的保溫基座,其特征在于,三個支撐柱分別位于兩個支撐板的三等分位置上。
5.如權利要求2所述的保溫基座,其特征在于,每個支撐柱上固定有多個支撐塊,且每個支撐柱上固定的支撐塊數量相同。
6.如權利要求5所述的保溫基座,其特征在于,每個支撐柱上相鄰兩個支撐塊的距離為1毫米~5毫米。
7.如權利要求5所述的保溫基座,其特征在于,各支撐柱上相對位置相同的支撐塊位于同一水平面上。
8.如權利要求1至7中的任一項所述的保溫基座,其特征在于,每個支撐塊上設置有多個刻度格。
9.如權利要求8所述的保溫基座,其特征在于,每個支撐塊上相鄰兩個刻度格之間的距離為0.5毫米~2毫米。
10.一種LPCVD爐管,其特征在于,包括:固定基座、內管、外管、晶舟、及如權利要求1至9中任一項所述的保溫基座,其中,所述外管置于所述內管外側,所述內管與所述固定基座構成容置空間,所述保溫基座及晶舟置于所述容置空間內,且所述晶舟置于所述保溫基座上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





