[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201320118285.X
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203242634U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: O.布蘭克;R.西米尼克;W.里格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;李浩

技術領域

本實用新型涉及半導體器件制造領域，特別涉及一種半導體器件。?

背景技術

功率場效應晶體管（Power?MOSFETs）被廣泛的用作消費電子產品、?工業機器、汽車以及高速火車等中的電功率轉換的器件。通過結構上的改進，性能提高也逐年得到實現。與平面型器件相比，采用溝槽技術的功率場效應晶體管提供了每單位面積上具有顯著增長的溝道寬度。并且，采用溝槽技術的半導體器件提供了優異的開關特性，并且被用在要求快速開關的應用中。?

圖1示出了具有邊緣終止溝槽的常用的溝槽晶體管。?

圖1示出了根據現有技術的半導體器件。提供襯底，所述襯底被重摻雜（本示例中為n+摻雜）以形成漏極區100。所述襯底可包括，但不限于，硅。在所述漏極區上方，所述半導體器件包括兩個區域，一個為單元區域，另一個為圍繞單元區域的邊緣區域。所述單元區域包括至少一個晶體管結構，所述晶體管結構包括漂移區102，?源極區130和本體區125。所述晶體管結構進一步包括延伸穿過所述源極區和本體區并進入到所述漂移區的溝槽。溝槽之間的部分是臺面區。場板115和上方的柵極區120位于溝槽中。所述場板115和柵極區120彼此間通過絕緣層107絕緣并且分別通過場氧化物（FOX）105和柵氧化物（GOX）106與其它元件絕緣。FOX和GOX通常可以由二氧化硅形成，但也可以是其它選擇。所述半導體器件還可以包括邊緣區域。在所述邊緣區域中提供終止溝槽110。與所述單元區域不同，所述終止溝槽中具有場板140，但所述場板140上沒有柵極區并且沒有圍繞所述柵極區的柵氧化物。所述半導體進一步包括位于半導體器件頂部表面的層間介電層135和源極金屬化層145。凹槽接觸136填充在所述層間介電層135中形成的接觸孔內，并且電連接所述邊緣區域中的場板140和源極金屬化層145以及電連接所述單元區域中的源極區，本體區和源極金屬化層145。?

可見，所述邊緣終止溝槽中沒有柵氧化物并且所述場板并未凹陷入所述溝槽，這是通過使用場板掩模和GOX掩模實現的。?

實用新型內容

本實用新型提供一種半導體器件以及制造該器件的方法,與當前使用的方法相比，該方法能夠減少掩模的數量。這樣可以降低晶片生產的成本。?

本實用新型公開了一種半導體器件，包括:半導體本體;?所述半導體本體中的單元區域，其中所述單元區域包括至少一個溝槽場效應晶體管結構，所述結構包括：與所述半導體本體的第一表面鄰接的具有第一導電類型的漏極區；位于所述漏極區上的具有第一導電類型的漂移區；與所述半導體本體的第二表面鄰接的具有第一導電類型的源極區；形成在所述源極區與所述漂移區之間的具有與所述第一導電類型互補的第二導電類型的本體區;?延伸穿過所述源極區與所述本體區并進入所述漂移區的溝槽;形成在所述溝槽中的第一場板和其上的柵極區，所述第一場板和所述柵極區彼此間以及與所述半導體本體相互絕緣；所述半導體本體中圍繞所述單元區域的邊緣區域，其包括終止溝槽，第二場板凹陷入所述終止溝槽中；位于所述半導體本體的第二表面上的層間介電層，其中所述層間介電層延伸進入所述終止溝槽并且被柵氧化物圍繞；以及延伸穿過所述層間介電層的凹槽接觸，其中在所述終止溝槽中，所述凹槽接觸通過所述層間介電層與所述柵氧化物隔離并且凹槽接觸與凹陷的第二場板電接觸。?

在一個實施例中，所述半導體器件進一步包括：位于所述半導體本體的第二表面上的源極金屬化層，其中所述源極金屬化層在所述單元區域中經由凹槽接觸電連接至所述源極區和本體區并且在所述邊緣區域中經由凹槽接觸電連接至所述第二場板。?

在另一個實施例中，所述半導體器件進一步包括與所述終止溝槽鄰近的具有與本體區相同導電類型的阱區。?

在另一個實施例中，所述阱區是浮置的。?

在另一個實施例中，所述阱區電連接至所述源極金屬化層并且形成為可耗盡的。?

在另一個實施例中，所述第一場板經由所述凹槽接觸電連接至所述源極金屬化層。

在另一個實施例中，所述邊緣區域中的凹槽接觸比所述單元區域中的凹槽接觸寬。

在另一個實施例中，所述邊緣區域中的終止溝槽比所述單元區域中的所述溝槽寬并且深。?

在另一個實施例中，所述第一導電類型為n型，因此所述半導體器件構成n-MOSFET。?

在另一個實施例中，所述第一導電類型為p型，因此所述半導體器件構成p-MOSFET。?

附圖說明