[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201320118285.X
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203242634U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: O.布蘭克;R.西米尼克;W.里格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;李浩

1.一種半導體器件,?其特征在于,?所述器件包括:

半導體本體;

所述半導體本體中的單元區域，其中所述單元區域包括至少一個溝槽場效應晶體管結構，所述結構包括：

???????與所述半導體本體的第一表面鄰接的具有第一導電類型的漏極區（200）；

???????位于所述漏極區上的具有第一導電類型的漂移區（202）；

???????與所述半導體本體的第二表面鄰接的具有第一導電類型的源極區（230）；

???????形成在所述源極區與所述漂移區之間的具有與所述第一導電類型互補的第二導電類型的本體區(225);?

???????延伸穿過所述源極區與所述本體區并進入所述漂移區的溝槽;

???????形成在所述溝槽中的第一場板(215)和其上的柵極區(220)，所述第一場板和所述柵極區彼此間以及與所述半導體本體相互絕緣；

所述半導體本體中圍繞所述單元區域的邊緣區域，其包括終止溝槽(210)，第二場板(240)凹陷入所述終止溝槽(210)中；

位于所述半導體本體的第二表面上的層間介電層(235)，其中所述層間介電層延伸進入所述終止溝槽并且被柵氧化物（206）圍繞；以及

延伸穿過所述層間介電層的凹槽接觸（236），其中在所述終止溝槽中，所述凹槽接觸通過所述層間介電層與所述柵氧化物隔離并且所述凹槽接觸與凹陷的第二場板電接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述半導體器件進一步包括：

位于所述半導體本體的第二表面上的源極金屬化層(245)，其中所述源極金屬化層(245)在所述單元區域中經由凹槽接觸(236)電連接至所述源極區和本體區并且在所述邊緣區域中經由凹槽接觸(236)電連接至所述第二場板。

3.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述半導體器件進一步包括與所述終止溝槽(210)鄰近的具有與本體區（225）相同導電類型的阱區(250)。

4.如權利要求3所述的半導體器件,?其特征在于,?所述阱區(250)是浮置的。

5.如權利要求3所述的半導體器件,?其特征在于,?所述阱區(250)電連接至所述源極金屬化層(245)并且形成為可耗盡的。

6.如權利要求2所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一場板(215)經由所述凹槽接觸（236）電連接至所述源極金屬化層（245）。

7.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述邊緣區域中的凹槽接觸比所述單元區域中的凹槽接觸寬。

8.如權利要求1所述的半導體器件,?其特征在于,?所述邊緣區域中的終止溝槽(210)比所述單元區域中的所述溝槽寬并且深。

9.如權利要求1-8之一所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一導電類型為n型，因此所述半導體器件構成n-MOSFET。

10.如權利要求1-8之一所述的半導體器件,?其特征在于,?所述第一導電類型為p型，因此所述半導體器件構成p-MOSFET。