[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320118047.9
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203398106U
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K.霍賽尼;U.瓦爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/36
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李浩

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

載體，其包括芯片島和引線；

半導(dǎo)體芯片，其包括半導(dǎo)體芯片第一表面上的第一電極和半導(dǎo)體芯片的與第一表面相對的第二表面上的第二電極，第二電極電連接到芯片島；以及

夾片，其包括第一接觸區(qū)域和第二接觸區(qū)域，所述第一接觸區(qū)域被放置在所述引線上，所述第二接觸區(qū)域被放置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極上，其中，所述載體的表面的一部分和所述夾片的表面的一部分未被封裝材料覆蓋，

其中，所述載體和/或所述夾片的厚度至少是所述半導(dǎo)體芯片的厚度的兩倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述載體的所述表面的所述部分是第一冷卻區(qū)，而所述夾片的所述表面的所述部分是第二冷卻區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述載體的所述表面的所述部分被電耦合至PCB。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述夾片的所述表面的所述部分被附著至熱沉。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述載體和所述夾片的厚度都至少是所述半導(dǎo)體芯片的厚度的兩倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述夾片的所述表面的所述部分的面積大于所述夾片與所述半導(dǎo)體芯片之間的所述接觸區(qū)域的面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述載體的所述表面的所述部分是所述芯片島的底部表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片還包括布置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第一表面上的第三電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括將所述第三電極連接至附加的引線的附加的夾片。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電極是源電極，而所述第三電極是柵電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述封裝材料完全覆蓋所述附加的夾片。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片包括超結(jié)晶體管。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述超結(jié)晶體管包括補償區(qū)，所述補償區(qū)包括p區(qū)和n區(qū)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述超結(jié)晶體管還包括在所述補償區(qū)上的MOS晶體管單元。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述超結(jié)晶體管還包括襯底和在所述襯底與所述補償區(qū)之間的緩沖層。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述載體是金屬引線框。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述載體是印刷電路板基板的部分。