[實用新型]石英外管保護裝置及爐管

有效

• 申請號: 201320094042.7
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN203128653U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 沈建飛;任瑞龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/24
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種石英外管保護裝置及爐管。

背景技術

在半導體制造工藝中，為了設置分立器件和集成電路，需要在晶圓的襯底上淀積不同種類的薄膜。而在各種淀積薄膜的方法中，低壓化學氣相淀積（LPCVD，Low?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition）是一種常用的方法，已經被廣泛應用到各種薄膜的淀積工藝中。

在利用LPCVD方式進行多晶硅薄膜淀積的過程中，由于爐管底部冷卻水循環的存在，石英外管底部的淀積薄膜所受的應力相對較大。在實際生產過程中發現，這種應力的存在會使多晶硅薄膜滲透進石英外管的內側壁內并淀積于其中，從而會對石英外管的底部區域造成永久損傷。這種淀積進入石英外管的內側壁的薄膜在之后的酸洗或者干式清洗過程中都無法去除，由此，不但會減少石英外管的使用次數，而且會增加機臺微粒偏高的風險。

因此，如何提供一種可以保護石英外管在多晶硅薄膜的淀積過程中底部不受損傷的石英外管保護裝置及爐管是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種石英外管保護裝置及爐管，以解決現有的石英外管在多晶硅薄膜的淀積過程中底部易損傷現象，從而導致石英外管的使用壽命降低以及機臺微粒偏高的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種石英外管保護裝置，包括碳化硅保護蓋、碳化硅保護蓋支架以及外管底部支架，所述碳化硅保護蓋通過外管底部支架安裝于所述石英外管的底部內側壁上，所述碳化硅保護蓋支架安裝于所述外管底部支架上，所述碳化硅保護蓋支架能夠將所述外管底部支架遮蔽。

優選的，在上述的石英外管保護裝置中，所述外管底部支架包括第一圓管形板和連接板，所述第一圓管形板和所述石英外管同心設置且位于所述石英外管的內側，所述第一圓管形板和所述石英外管通過所述連接板固定連接。

優選的，在上述的石英外管保護裝置中，所述碳化硅保護蓋包括第二圓管形板，且所述第二圓管形板位于所述第一圓管形板和石英外管之間。

優選的，在上述的石英外管保護裝置中，所述第一圓管形板由若干第一圓弧形板拼接而成。

優選的，在上述的石英外管保護裝置中，所述第二圓管形板由若干第二圓弧形板拼接而成，所述若干第二圓弧形板與所述若干第一圓弧形板一一對應。

優選的，在上述的石英外管保護裝置中，所述碳化硅保護蓋支架包括內圓管形板、外圓管形板和頂蓋板，所述第一圓管形板的直徑大于所述內圓管形板的直徑且小于所述外圓管形板的直徑，所述頂蓋板設置于所述內圓管形板和所述外圓管形板頂部且向外側方向延伸。

本實用新型還公開了一種爐管，包括石英外管和如上所述的石英外管保護裝置，所述石英外管保護裝置設置于所述石英外管的底部內側壁上。

發明人發現，造成現有的石英外管保護裝置及爐管在多晶硅薄膜的淀積過程中底部極易損傷的原因在于：在LPCVD多晶硅薄膜淀積的過程中，由于爐管底部冷卻水循環的存在，石英外管底部的淀積薄膜所受的應力相對較大。在實際生產過程中發現，這種應力的存在會使多晶硅薄膜滲透進石英外管的內側壁內并淀積于其中，從而會對石英外管的底部區域造成永久損傷。

在本實用新型提供的石英外管保護裝置及爐管采用碳化硅保護蓋、碳化硅保護蓋支架以及外管底部支架，所述外管底部支架固定連接于石英外管的底部內側壁上，所述碳化硅保護蓋放置于所述外管底部支架內且位于所述石英外管的底部內側壁的內側，所述碳化硅保護蓋支架組裝于所述外管底部支架上，所述碳化硅保護蓋支架能夠將所述外管底部支架遮蔽。由于碳化硅保護蓋和碳化硅保護蓋支架采用碳化硅（SiC）材質，碳化硅材質和多晶硅薄膜具有同一級別的熱膨脹系數，利用碳化硅和多晶硅薄膜相近的熱膨脹系數，可以減少應力，從而防止多晶硅薄膜滲透進石英外管的內側壁內并淀積于其中，保護石英外管的底部區域不受損傷，不但可以延長石英外管的使用壽命，而且可以減小機臺微粒偏高的風險，提高LPCVD工藝的可靠性以及產品良率。

附圖說明

圖1是本實用新型的一實施例的爐管的結構示意圖；

圖2是本實用新型的一實施例的石英外管保護裝置的結構示意圖。

圖中：1-石英外管、2-晶舟、3-內管、41-碳化硅保護蓋支架、42-外管底部支架、43-碳化硅保護蓋。

具體實施方式