[實用新型]側接觸CMOS影像采集模組有效
| 申請號: | 201320093327.9 | 申請日: | 2013-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN203192798U | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 冷啟明;張開元;陳威威;張宇馳 | 申請(專利權)人: | 深圳市微高半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 cmos 影像 采集 模組 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種側接觸CMOS影像采集模組。
背景技術
CMOS是Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor(互補金屬氧化物半導體)的縮寫,是指制造大規模集成電路芯片用的一種技術或用這種技術制造出來的芯片。CMOS影像采集模組將光、影、像轉換為電子數字信號,CMOS鏡頭的每個像素包含了放大器與A/D轉換電路,多個定位電子元件壓縮在單一像素的感光區域的表面積內。CMOS影像采集模組工作原理是利用photodiode進行光與電的轉換。物體通過鏡頭(Lens)聚集的光線,通過CMOS感光集成電路,將光信號轉化為電信號,經過內部的ISP(圖像信號處理器)轉換后變為數字圖像信號輸出。再送到數字信號處理器中加工處理,轉化為標準的YUV、RGB格式圖像信號。
CMOS影像采集模組可以分為兩類:定焦模組和自動對焦模組。定焦模組是鏡頭組和芯片組裝好以后將鏡頭的位置固定、調焦距離不變的CMOS影像采集模組。這類模組在生產當中需要根據Sensor的感光特性,計算出鏡頭的調焦距離,固定Sensor于鏡頭的相對距離上。隨著科技的發展,Sensor的感光晶圓越做越小,這也使得CMOS影像采集模組生產廠家需要根據Sensor的特點設計與之相適應的小型CMOS影像采集模組。隨著3G時代的到來,攝像頭模組也出現兩個發展的趨勢;一個方面就是以自動對焦或光學變焦的高端像素,另一個發展的方向就是小型CMOS影像采集模組。由于3G手機輸出帶寬和手機空間的限制,傳統以定位柱、定位孔的定位方法在前置攝像頭只能使用低像素小型CMOS影像采集模組,以實現視頻通話的功能。另,采用連接器形式的CMOS影像采集模組是以連接器的引腳相接的,因其接觸面積較小,普遍存在抗跌和抗震性差的問題,在使用中如果遇到跌落或者震蕩等,很容易造成連接松動,導致攝像頭不能正常工作。此外,由于連接器需要占用一定的空間,無法有效的將模組總高度降低,無法滿足一些小空間應用場合的要求。
發明內容
本實用新型的主要目的在于提供一種超小超薄,成本低的側接觸CMOS影像采集模組。
為解決上述問題,本實用新型采用如下技術方案:一種側接觸CMOS影像采集模組,包括鏡頭座,及設置在鏡頭座內、與鏡頭座螺紋連接的鏡頭,及設置在鏡頭座下方的柔性電路板,及設置在鏡頭下方的、封裝在柔性電路板上的感光芯片,及包覆在柔性電路板四周的補強件;所述柔性電路板上設置有用于定位的電子元件,所述補強件四周設置有金屬片。
進一步的,所述電子元件是電容或電阻。
本實用新型側接觸CMOS影像采集模組的有益效果是:由于所述柔性電路板上設置有用于定位的電子元件,摒棄了傳統以定位柱、定位孔的定位方法,定位精度高,準確。所述補強件四周設置有金屬片來連接,有效的提高了抗跌落和抗震蕩性能,產品可以做到超小超薄,成本低。
附圖說明
圖1為本實用新型側接觸CMOS影像采集模組的示意圖。
具體實施方式
請參閱圖1所示,本實用新型的一種側接觸CMOS影像采集模組,包括鏡頭座1,及設置在鏡頭座1內、與鏡頭座1螺紋連接的鏡頭2,及設置在鏡頭座1下方的柔性電路板3,及設置在鏡頭2下方的、封裝在柔性電路板3上的感光芯片4,及包覆在柔性電路板3四周的補強件5;所述柔性電路板3上設置有用于定位的電子元件6,電子元件6不僅是電路設計的需要,也可以起到定位的作用。電子元件6與感光芯片4的邊角相配合定位,定位精度高,準確。所述電子元件6是電容或電阻。所述補強件5四周設置有金屬片7,金屬片7的接觸面積大,接觸充分,提高了抗跌落和抗震蕩性能,產品可以做到超小超薄,成本低。
本實用新型側接觸CMOS影像采集模組的有益效果是:由于所述柔性電路板上設置有用于定位的電子元件,摒棄了傳統以定位柱、定位孔的定位方法,定位精度高,準確。所述補強件四周設置有金屬片來連接,有效的提高了抗跌落和抗震蕩性能,產品可以做到超小超薄,成本低。
以上所述,僅為本實用新型的具體實施方式,但本實用新型的保護范圍并不局限于此,任何不經過創造性勞動想到的變化或替換,都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此,本實用新型的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





