[實(shí)用新型]側(cè)接觸CMOS影像采集模組有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320093327.9 | 申請(qǐng)日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203192798U | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 冷啟明;張開元;陳威威;張宇馳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市微高半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518110 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接觸 cmos 影像 采集 模組 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種側(cè)接觸CMOS影像采集模組，其特征在于：包括鏡頭座，及設(shè)置在鏡頭座內(nèi)、與鏡頭座螺紋連接的鏡頭，及設(shè)置在鏡頭座下方的柔性電路板，及設(shè)置在鏡頭下方的、封裝在柔性電路板上的感光芯片，及包覆在柔性電路板四周的補(bǔ)強(qiáng)件；所述柔性電路板上設(shè)置有用于定位的電子元件，所述補(bǔ)強(qiáng)件四周設(shè)置有金屬片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)接觸CMOS影像采集模組，其特征在于：所述電子元件是電容或電阻。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
