[實(shí)用新型]氣相處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320090246.3
• 申請(qǐng)日: 2013-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203112919U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張明;鄭云友
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/22
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/22;C23C16/44;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于基底處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氣相處理裝置。

背景技術(shù)

氣相處理裝置是用于對(duì)基底(如玻璃基底、晶圓等)進(jìn)行處理(如對(duì)基底上的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，或在基底上形成所需膜層結(jié)構(gòu)等)的裝置，其被廣泛用于集成電路制造、顯示裝置(如液晶顯示裝置、OLED顯示裝置等)制造等領(lǐng)域。

根據(jù)具體處理原理的不同，氣相處理裝置可分為干法刻蝕裝置、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置、蒸鍍裝置、濺射裝置、分子束外延生長(zhǎng)裝置、原子層沉積裝置等類(lèi)型。這些氣相處理裝置的共同點(diǎn)在于具有用于加工基底的處理腔室，在處理腔室中通入工藝氣體后，可通過(guò)化學(xué)反應(yīng)、粒子撞擊等形式對(duì)基底進(jìn)行處理；為了使處理腔室中工藝氣體的成分、壓力等條件保持穩(wěn)定，故在處理過(guò)程中需要邊通入工藝氣體邊從處理腔室中抽出工藝氣體。

作為氣相處理裝置的一個(gè)具體例子，干法刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示，其處理腔室9中具有用于承載基底的基臺(tái)91，工藝氣體從處理腔室9頂部的多個(gè)細(xì)小進(jìn)氣孔(孔數(shù)一般超過(guò)10萬(wàn)個(gè)，圖中未示出)中均勻流向基臺(tái)91，基臺(tái)91四周設(shè)有與處理腔室9側(cè)壁相連的隔板92，隔板92在處理腔室9的四角處設(shè)有抽氣口5，隔板92下方設(shè)有多個(gè)開(kāi)口93，每個(gè)開(kāi)口93與一抽氣泵6(如分子泵-干泵組件)相連通，從而抽氣泵6可通過(guò)抽氣口5對(duì)處理腔室9抽氣。

當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，圖2只是示意性的表達(dá)了抽氣泵6與開(kāi)口93的連接關(guān)系，而不構(gòu)成對(duì)抽氣泵6具體位置的限定，抽氣泵6也可通過(guò)連接管與開(kāi)口93相連通。

其中，設(shè)置隔板92的目的在于避免與開(kāi)口93直接相對(duì)處的工藝氣體流量過(guò)大，使抽氣量均勻，從而保證基底各位置處的處理效果(如刻蝕程度、成膜厚度等)的均勻性(因?yàn)榛赘魈幍奶幚硇Чc流過(guò)該處的工藝氣體流量相關(guān))。隔板92還有在處理腔室9由大氣狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎婵諣顟B(tài)時(shí)防止抽氣泵6抽氣速度太快而引起基臺(tái)91上的基底移位等作用。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：同一氣相處理裝置中的各臺(tái)抽氣泵的抽氣能力可能有所不同(包括設(shè)備本身的差異、設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的差異、設(shè)備故障等原因)，而抽氣泵抽氣能力的差異會(huì)導(dǎo)致各抽氣口處的氣流速度、流量等產(chǎn)生差異，從而影響基底處理效果的均一性，降低產(chǎn)品質(zhì)量。另外，抽氣口簡(jiǎn)單設(shè)置于處理腔室四角，會(huì)造成四角工藝氣體流量偏大，從而引起產(chǎn)品在該位置出現(xiàn)異常(如干法刻蝕設(shè)備中產(chǎn)品在該位置就經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)過(guò)刻)，影響產(chǎn)品質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的包括，針對(duì)現(xiàn)有的氣相處理裝置容易因?yàn)槌闅獗贸闅饽芰Φ牟町惣俺闅饪谖恢梅植家鹛幚硇Ч痪膯?wèn)題，提供一種可保證處理效果均一性的氣相處理裝置。

解決本實(shí)用新型技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為一種氣相處理裝置，用于在氣相環(huán)境下對(duì)處理腔室中的基底進(jìn)行處理，所述氣相處理裝置包括：

處理腔室，包括多個(gè)設(shè)于不同位置的抽氣口；

多個(gè)抽氣泵，用于通過(guò)抽氣口對(duì)處理腔室抽氣；且至少有一個(gè)所述抽氣泵通過(guò)多根抽氣管分別與多個(gè)抽氣口相連通。

其中，“抽氣泵通過(guò)多根抽氣管分別與多個(gè)抽氣口相連通”是指該抽氣泵與多根抽氣管相連通，而這些抽氣管分別連接多個(gè)抽氣口；或者說(shuō)，一個(gè)抽氣泵通過(guò)抽氣管同時(shí)對(duì)多個(gè)抽氣口進(jìn)行抽氣。

優(yōu)選的是，至少有一個(gè)抽氣口通過(guò)多根抽氣管與多個(gè)抽氣泵相連通。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，每個(gè)所述抽氣泵均通過(guò)多根抽氣管分別與所有的抽氣口相連通。

優(yōu)選的是，某一抽氣泵通過(guò)多根抽氣管與多個(gè)抽氣口相連通，則與該抽氣泵相連通的各抽氣口對(duì)于該抽氣泵的∑r⁴/L值相等；其中，r為一根與該抽氣泵相連通的抽氣管的內(nèi)半徑，L為該抽氣管的長(zhǎng)度，∑表示對(duì)連接在一個(gè)抽氣口與該抽氣泵間的全部抽氣管的r⁴/L值進(jìn)行求和。

優(yōu)選的是，所述抽氣管上設(shè)有流量控制器。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述流量控制器位于處理腔室之外。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述抽氣管上還設(shè)有流量檢測(cè)器。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述流量檢測(cè)器位于處理腔室之外。

優(yōu)選的是，各所述抽氣口圍繞用于放置所述基底的位置周邊均勻分布。

優(yōu)選的是，所述氣相處理裝置為干法刻蝕裝置、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置、蒸鍍裝置、濺射裝置、分子束外延生長(zhǎng)裝置、原子層沉積裝置中的任意一種。