[實用新型]一種發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320089083.7
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN203288637U
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚禹;繆炳有;陳起偉;鄧覺為
• 申請（專利權(quán)）人: 西安神光皓瑞光電科技有限公司;西安神光安瑞光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種p型輔助電極全部或者部分嵌入透明導(dǎo)電層中的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（LED）是一種當(dāng)pn結(jié)處于正偏壓情況下即會發(fā)光的半導(dǎo)體二極管。典型的垂直型發(fā)光二極管可包括襯底、n型半導(dǎo)體層、有源層（發(fā)光層）、p型半導(dǎo)體層、n型電極與p型電極。LED具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)牢固、抗沖擊和抗震能力強、壽命長、環(huán)保無污染等諸多優(yōu)點，已成為近年來最受重視的光源技術(shù)之一。

以目前主流的基于藍(lán)寶石襯底的正裝GaN基LED芯片為例，由于藍(lán)寶石不具備導(dǎo)電性，所以必須通過刻蝕器件表面來形成負(fù)電極。因此，隨著LED芯片尺寸的不斷擴大，這種結(jié)構(gòu)的LED芯片不可避免的存在電流的橫向擴展，從而極易產(chǎn)生電流聚集效應(yīng)，影響發(fā)光效率。

為了緩解和避免這一現(xiàn)象的發(fā)生，往往在制作大尺寸大功率LED芯片的時候，除了應(yīng)有的主電極用于焊線外，還額外的設(shè)計各種形狀的輔助電極（Finger）來延長電流在橫向的傳導(dǎo)路徑，用于幫助電流在位于p型GaN之上的透明導(dǎo)電層中的傳導(dǎo)。而由于金屬的遮光作用，所以當(dāng)金屬輔助電極的線寬被制作得比較大時，勢必會遮擋掉一部分出光，從而影響亮度，而較小線寬的金屬輔助電極，雖然可以最大限度的保證出光不受影響，但是由于其與透明導(dǎo)電層的接觸面積過小，所以在后續(xù)加工過程中，很容易受外界物理或者化學(xué)因素的綜合作用而脫落，影響成品率和使用效果，尤其對于p型輔助電極來說，與其接觸的透明導(dǎo)電層多數(shù)為氧化物材料，其粘附性更差。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種發(fā)光二極管，以解決p型輔助電極在加工以及封裝過程中由于化學(xué)腐蝕、機械損傷等因素而造成的斷裂、損傷、脫落等問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種發(fā)光二極管，包括：

襯底；

依次位于所述襯底上的n型半導(dǎo)體層、有源層、p型半導(dǎo)體層和透明導(dǎo)電層；

p型電極以及與所述p型電極電連接的p型輔助電極；

其中，所述p型輔助電極全部或者部分嵌入所述透明導(dǎo)電層中。

進(jìn)一步的，所述p型電極部分嵌入所述透明導(dǎo)電層中。

進(jìn)一步的，所述透明導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫、氧化鋅、氧化鎳中的一種。

進(jìn)一步的，所述透明導(dǎo)電層的厚度為。

進(jìn)一步的，所述發(fā)光二極管還包括位于所述襯底和n型半導(dǎo)體層之間的緩沖層。

進(jìn)一步的，所述襯底為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。

進(jìn)一步的，所述n型半導(dǎo)體層的材料為n型摻雜的氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料包括銦氮化鎵；所述p型半導(dǎo)體層的材料為p型摻雜的氮化鎵。

進(jìn)一步的，所述發(fā)光二極管還包括深度延伸至所述n型半導(dǎo)體層中的開口以及位于所述開口內(nèi)的n型電極。

進(jìn)一步的，所述發(fā)光二極管還包括位于所述透明導(dǎo)電層上絕緣保護(hù)層，所述絕緣保護(hù)層覆蓋所述p型輔助電極并暴露出所述p型電極和n型電極。

進(jìn)一步的，所述透明導(dǎo)電層為臺階狀的透明導(dǎo)電層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的p型輔助電極部分或者全部置于透明導(dǎo)電層之內(nèi)，可有效的避免外界化學(xué)物質(zhì)腐蝕底部接觸層金屬，也降低了p型輔助電極于透明導(dǎo)電層之上的高度，使其難以受到外力作用而發(fā)生損傷、脫落、斷裂等情況。尤其當(dāng)p型輔助電極的高度小于透明導(dǎo)電層內(nèi)凹槽的高度，或者小于凹槽高度與絕緣保護(hù)層厚度之和時，p型輔助電極將全部被絕緣保護(hù)層所包覆，大大增加了器件的可靠性。如此，也可以減小金屬輔助電極的線寬，從而減小遮擋出光的面積，一定程度上增加了LED芯片亮度。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的發(fā)光二極管的俯視示意圖；

圖2為本實用新型實施例的發(fā)光二極管的第一種剖面示意圖；

圖3為本實用新型實施例的發(fā)光二極管的第二種剖面示意圖；

圖4為本實用新型實施例的發(fā)光二極管的第三種剖面示意圖；

圖5為本實用新型實施例的發(fā)光二極管的第四種剖面示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。