[實用新型]一種發光二極管有效
| 申請號： | 201320089083.7 | 申請日： | 2013-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN203288637U | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 姚禹;繆炳有;陳起偉;鄧覺為 | 申請（專利權）人： | 西安神光皓瑞光電科技有限公司;西安神光安瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 | ||
1.一種發光二極管，包括：
襯底；
依次位于所述襯底上的n型半導體層、有源層、p型半導體層和透明導電層；
p型電極以及與所述p型電極電連接的p型輔助電極；
其特征在于，所述p型輔助電極全部或者部分嵌入所述透明導電層中。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述p型電極部分嵌入所述透明導電層中。
3.如權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述透明導電層的材料為氧化銦錫、氧化鋅、氧化鎳中的一種。
4.如權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述透明導電層的厚度為。
5.如權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括位于所述襯底和n型半導體層之間的緩沖層。
6.如權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。
7.如權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述n型半導體層的材料為n型摻雜的氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料包括銦氮化鎵；所述p型半導體層的材料為p型摻雜的氮化鎵。
8.如權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括深度延伸至所述n型半導體層中的開口以及位于所述開口內的n型電極。
9.如權利要求8所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括位于所述透明導電層上絕緣保護層，所述絕緣保護層覆蓋所述p型輔助電極并暴露出所述p型電極和n型電極。
10.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述透明導電層為臺階狀的透明導電層。
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