[實用新型]一種BICMOS線路結構的欠壓鎖定電路

有效

• 申請號: 201320080620.1
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN203117829U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 王文建
• 申請（專利權）人: 浙江商業職業技術學院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術，尤其涉及到欠壓鎖定電路。

背景技術

傳統的欠壓鎖定電路翻轉閾值會隨著溫度的變化而變化，從而造成系統不穩定；同時傳統的欠壓鎖定電路沒有滯回功能，這樣會導致系統反復開關現象。

發明內容

本實用新型旨在解決現有技術的不足，提供一種穩定性很高的欠壓鎖定電路。

欠壓鎖定電路，包括電壓采樣電路、電壓比較電路、輸出驅動電路和遲滯反饋電路：

所述電壓采樣電路是對所加的電壓進行采樣；

所述電壓比較電路是對所述采樣的電壓與基準電路產生的基準電壓進行比較；

所述輸出驅動電路是對所述電壓比較電路輸出的電壓進行輸出并驅動；

所述遲滯反饋電路是對所述輸出驅動電路輸出的電壓信號進行遲滯反饋，產生電壓遲滯回差特性。

所述電壓采樣電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻和第一NMOS管：

所述第一電阻的一端接電源，另一端接所述第二電阻的一端；

所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端，另一端接所述第三電阻的一端；

所述第三電阻的一端接所述第二電阻的一端，另一端接所述第一NMOS管的漏極；

所述第一NMOS管的柵極接所述輸出驅動電路的輸出端，漏極接所述第三電阻的一端，源極接地。

所述電壓比較電路包括第四電阻、第五電阻、第六電阻、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第一NPN管和第二NPN管：

所述第四電阻的一端接電源，另一端接所述第一NPN管的集電極；

所述第五電阻的一端接電源，另一端接所述第二NPN管的集電極和所述第一PMOS管的柵極；

所述第六電阻的一端接所述第二NPN管的發射極，另一端接所述第二NMOS管的漏極；

所述第二NMOS管的柵極接所述第一反相器的輸出端，漏極接所述第六電阻的一端，源極接地；

所述第三NMOS管的柵極接電源，漏極接所述第一PMOS管的漏極，源極接所述第四NMOS管的漏極；

所述第四NMOS管的柵極接電源，漏極接所述第三NMOS管的源極，源極接地；

所述第一PMOS管的柵極接所述第五電阻的一端，漏極接所述第三NMOS管的漏極，源極接電源；

所述第一NPN管的基極接所述第二電阻的一端和所述第三電阻的一端，集電極接所述第四電阻的一端，發射極接所述第二NPN管的基極；

所述第二NPN管的基極接所述第一NPN管的發射極，集電極接所述第五電阻的一端和所述第一PMOS管的柵極。

所述輸出驅動電路包括第五NMOS管、第六NMOS管和第三NPN管：

所述第五NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端，漏極接電源，源極接所述第三NPN管的集電極；

所述第六NMOS管的柵極接所述第三NMOS管的源極和所述第四NMOS管的漏極，漏極接所述第三NPN管的發射極和所述輸出驅動電路的輸出端，源極接地；

所述第三NPN管的基極接所述第一NPN管的發射極和所述第二NPN管的基極，集電極接所述第五NMOS管的源極，發射極接所述第六NMOS管的漏極。

所述遲滯反饋電路包括第一反相器、第一NMOS管和第二NMOS管：

所述第一反相器的輸入端接所述輸出驅動電路的輸出端，輸出端接所述第二NMOS管的柵極；

所述第一NMOS管的柵極接所述輸出驅動電路的輸出端，漏極接所述第三電阻的一端，源極接地；

所述第二NMOS管的柵極接所述第一反相器的輸出端，漏極接所述第六電阻的一端，源極接地。

利用本實用新型提供的欠壓鎖定電路能更好地提高系統的可靠性和穩定性。

附圖說明

圖1為本實用新型的欠壓鎖定電路的電路圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型內容進一步說明。

欠壓鎖定電路，如圖1所示，包括電壓采樣電路、電壓比較電路、輸出驅動電路和遲滯反饋電路：

所述電壓采樣電路是對所加的電壓進行采樣；

所述電壓比較電路是對所述采樣的電壓與基準電路產生的基準電壓進行比較；

所述輸出驅動電路是對所述電壓比較電路輸出的電壓進行輸出并驅動；

所述遲滯反饋電路是對所述輸出驅動電路輸出的電壓信號進行遲滯反饋，產生電壓遲滯回差特性。

所述電壓采樣電路包括第一電阻101、第二電阻102、第三電阻103和第一NMOS管104：

所述第一電阻101的一端接電源VCC，另一端接所述第二電阻102的一端；