[實用新型]一種溝槽MOSFET功率整流器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320071888.9
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN203179885U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 龍濤;王乙明;金鐘元
• 申請（專利權）人: 上海新進半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/07
• 分類號: H01L27/07;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，包括，

第一導電類型的襯底；

位于所述襯底第一表面之上的外延層，所述外延層包括第一區(qū)域和圍繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域；

位于所述外延層的第一區(qū)域的若干個第一溝槽，所述第一溝槽從所述外延層的表面延伸至所述外延層內部；其中，所述第一溝槽之間通過臺面區(qū)域隔開，所述第一溝槽內填充有摻雜多晶硅，形成柵多晶硅；

位于所述臺面區(qū)域表面的第一導電類型的源區(qū)；

位于所述源區(qū)下方的第二導電類型的體區(qū)；

至少一個位于所述第二區(qū)域的包圍所述第一溝槽的第二導電類型的終端保護環(huán)，所述終端保護環(huán)從所述外延層的表面延伸至所述外延層內部，且所述終端保護環(huán)的底部的位置低于所述第一溝槽底部的位置；

位于所述外延層的表面上方且與所述源區(qū)、所述體區(qū)、所述柵多晶硅形成歐姆接觸的第一電極；

位于所述襯底的第二表面下方的第二電極，所述第二表面與所述第一表面相對；

其中，所述第一導電類型和所述第二導電類型相反。

2.根據(jù)權利要求1所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，所述終端保護環(huán)的底部位置比所述第一溝槽的底部位置低0.3~3μm。

3.根據(jù)權利要求1所述的溝槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。