[實用新型]一種非制冷紅外探測器塔式橋墩有效
| 申請號: | 201320061460.6 | 申請日: | 2013-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN203269550U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 甘先鋒;王宏臣;楊水長;孫瑞山 | 申請(專利權)人: | 煙臺睿創微納技術有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;G01J5/22 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立 |
| 地址: | 264006 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制冷 紅外探測器 塔式 橋墩 | ||
技術領域
本實用新型涉及MEMS器件設計和制造領域,具體為一種非制冷紅外探測器塔式橋墩結構。?
背景技術
非制冷紅外探測器(Uncooled?Infrared?Detector)廣泛應用于軍事、汽車、安防、生物醫學、電力、航空、警用、森林防火和物聯網等領域。近年來,非致冷紅外探測器技術獲得了重要突破并實現商業量產化。它不僅解決了制冷紅外探測器要求低溫(-77K)冷卻的工作條件,還實現同讀出電路的大規模或超大規模集成。這種技術適合采用大規模集成電路制造技術批量生產,使紅外探測器成本低廉化,從而使紅外熱像儀的應用從傳統的軍用領域逐漸推廣到民用領域。它響應速率高,具有極低的噪聲水平,它工作時無需斬波器輔助,便于大規模生產。工作時,在熱敏電阻兩端施加固定的偏置電壓或電流源,入射紅外輻射引起的溫度變化使得熱敏材料電阻值發生變化,從而使電流、電壓發生改變,并由讀出電路(ROIC)讀出電信號的變化,并把電信號轉換為圖形信號進行成像。?
同時,非制冷紅外探測器的加工屬于微機電系統(MEMS:Micro-Electromechanical?Systems)領域,是一種基于微電子技術和微加工技術的一種高科技領域。MEMS技術可將機械構件、驅動部件、電控系統、數字處理系統等集成為一個整體的微型單元。MEMS器件具有微小、智能、可執行、可集成、工藝兼容性好、成本低等諸多優點。但是,在MEMS器件的制造工藝中,涉及到復雜的三維結構,需要使用犧牲層來制作微結構,如微型橋、懸臂梁、懸臂塊和質量塊等,在制作微結構中,一定包含固定支撐結構即錨點(Anchor,在本專利中,稱為橋墩)。?
非制冷紅外探測器實現了和讀出電路的集成,隨著技術路線的發展和技術革新,非制冷紅外探測器的像元(Pixel)大小從50μm-35μm-25μm-17μm-14μm及以下尺寸發展。但由于非制冷紅外探測器是屬于MEMS技術領域,有些特殊結構,如支撐結構的橋墩(Anchor),就不能按照像元尺寸等比例進行縮小。所以本發明方法,就是針對Bolometer關鍵的支撐結構橋墩(Anchor)進行優化和創新,可適用于像元(Pixel)尺寸為25μm,17μm,14μm及以下尺寸的結構和制造工藝之中,并降低工藝制造的難度,確保像元尺寸縮小時,橋墩結構縮小且仍保持原有的穩固性和可靠性,并改進和解決尺寸縮小所引入的新的問題。?
現有技術:在犧牲層(厚度為2.0~2.5μm)上蝕刻支撐孔,支撐孔為直孔(各向異性蝕刻)或一定傾斜度(如50~70°)的傾斜孔,然后可使用Lift-off工藝進行Ti、TiNi、NiCr等金屬填充,然后完成后面的支撐層、熱敏層、介質層、電極層和鈍化層等一系列工藝。在介質層工藝完成后,需要在支撐孔位置處光刻和蝕刻通孔(VIA),通孔必須制作在支撐孔(Post?Hole)底部的中間,不可蝕刻到橋墩(Anchor)的側壁。否則,橋墩側壁被蝕刻,破壞了橋墩的支撐作用,后面無法進行完整的電極布線,電極金屬薄膜在此位置處的臺階覆蓋差或根本無法進行覆蓋;由于要求通孔必須制作在支撐孔底部的中間,要求設計時保留一定的對位容差,如支撐孔(Post?Hole)底部比通孔直徑大1.0μm。如果通孔要求是2.0μm,支撐孔的高度為2.0μm,傾角為60°,考慮支撐孔內壁的介質厚度為0.3~0.5μm。那么,支撐孔上部橋墩寬度在6.0μm左右甚至更大。隨著像元尺寸的縮小,為了保持支撐結構的穩定性,可靠性,以及保持通孔的大小不變才能保證良好的電接觸。所以,橋墩(Anchor)大小不能按像元尺寸縮小的比例進行減少,這樣就必然占用像元的有效面積,導致器件的填充系數偏低,影響器件的性能。且傳統的方法,一般還需要在通孔(VIA)后進行鋁(Al)工藝填充或濺射厚的電極金屬,填充工藝復雜,厚金屬熱導大;另外,如果橋墩(Anchor)縮小,通孔的大小保持不變,那么對位容差就小,會增加通孔層的制造難度等。?
實用新型內容
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