[實用新型]一種非制冷紅外探測器塔式橋墩有效
| 申請號： | 201320061460.6 | 申請日： | 2013-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN203269550U | 公開（公告）日： | 2013-11-06 |
| 發明（設計）人： | 甘先鋒;王宏臣;楊水長;孫瑞山 | 申請（專利權）人： | 煙臺睿創微納技術有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;G01J5/22 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 264006 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制冷 紅外探測器 塔式 橋墩 | ||
1.一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，包括ASIC電路，其特征在于，所述ASIC電路上設置有聚酰亞胺犧牲層（3）和電極塊（2），犧牲層（3）上有蝕刻支撐孔（4-1）；蝕刻支撐孔（4-1）所在的圓片上有濺射金屬層（4）；?
犧牲層（3）上設置有聚酰亞胺犧牲層（5），聚酰亞胺犧牲層（5）上有蝕刻支撐孔（6-1）；蝕刻支撐孔（6-1）所在的圓片上有濺射金屬層（6）；?
金屬層（6）上有支撐層（7），支撐層（7）上有熱敏層（8），熱敏層（8）上有介質層（9），介質層（9）上有通孔（10）和接觸孔（11）；?
在通孔（10）和接觸孔（11）有電極金屬（12），電極金屬（12）后沉積有鈍化層（13）。?
2.根據權利要求1要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述金屬層（4）和金屬層（6）的金屬為Ti或NiCr，厚度為50～200nm。?
3.根據權利要求1或2要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述支撐層（7）為氮化硅薄膜，厚度為或帶有二氧化硅緩沖層的氮化硅，二氧化硅緩沖層的厚度為所述氮化硅薄膜為低應力氮化硅，應力為0±50MPa。?
4.根據權利要求3要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述介質層（9）為低應力氮化硅薄膜，厚度為
5.根據權利要求4要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述電極金屬層（12）厚度為
6.根據權利要求5要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述鈍化層（13）為氮化硅，厚度為
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