[實(shí)用新型]一種無接觸式晶片上料裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320055257.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203165871U | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李福榮;裴瓊?cè)A | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海星納電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201612 上海市松江區(qū)漕河涇開*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 接觸 晶片 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽能晶片檢測(cè)平臺(tái),尤其是涉及一種太陽能晶片的自動(dòng)無接觸式上料系統(tǒng)。
背景技術(shù)
?晶片是太陽能電池片的載體,晶片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低,因此在晶片的生產(chǎn)過程中需要多道工序的檢測(cè)以保證出廠晶片的質(zhì)量和性能。在晶片的檢測(cè)過程中,常常需要將一疊晶片分開并一片片放在傳輸帶上,然后再進(jìn)行后續(xù)的檢測(cè)。
目前晶片的上料方式大多采用人工的方式進(jìn)行發(fā)片,操作人員拿起一疊晶片,用手分開,然后一張張放在傳輸帶上。這樣操作的缺點(diǎn)在于增加了人的工作量,同時(shí)由于人工操作很難保證操作的均勻性,晶片在傳輸皮帶上的分布不均勻會(huì)影響到后續(xù)的測(cè)量,上料時(shí)晶片偏向某一邊時(shí)也可能會(huì)超出測(cè)量的范圍。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種針對(duì)太陽能晶片的自動(dòng)無接觸式上料系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)無接觸無污染的堆疊晶片上料。
本實(shí)用新型所提供的無接觸式晶片上料裝置,包括:滑臺(tái)、吸盤裝置、輸送皮帶、活動(dòng)式片盒、片盒托架、噴氣嘴、調(diào)速閥、晶片頂起升降機(jī)構(gòu);
所述吸盤裝置包括吸盤安裝塊、鉸鏈機(jī)構(gòu)、氣缸固定塊、氣缸、兩個(gè)電容傳感器、吸盤進(jìn)氣孔、吸盤、排氣槽;吸盤安裝塊固連接于滑臺(tái),鉸鏈機(jī)構(gòu)包含鉸鏈和磁鐵,兩個(gè)電容傳感器固定在吸盤上,一個(gè)電容傳感器用于探測(cè)片盒里的晶片以決定晶片頂起升降機(jī)構(gòu)升起的高度,另一個(gè)電容傳感器判定是否有晶片吸附在吸盤上;壓縮空氣由進(jìn)氣孔進(jìn)入吸盤,由排氣槽瀉出;
所述活動(dòng)式片盒的底部有一塊可以升降的底板,且底板與片盒側(cè)邊的皮帶連接,與皮帶保持上下方向的同步運(yùn)動(dòng);
所述片盒托架下部為一個(gè)鏤空的結(jié)構(gòu),用來承載活動(dòng)式片盒;
所述噴氣嘴設(shè)置在活動(dòng)式片盒的對(duì)側(cè),控制系統(tǒng)通過電磁閥控制,在上料時(shí)吹出壓縮空氣將活動(dòng)式片盒上部的堆疊晶片分離;
所述調(diào)速閥設(shè)置在噴氣嘴的進(jìn)氣端,通過控制壓縮空氣的流速來調(diào)節(jié)晶片被吹起的高度;
所述晶片頂起升降機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)升降的步進(jìn)電機(jī)、零位傳感器、絲桿、導(dǎo)軌和頂起片盒的頂起軸。
進(jìn)一步的,本實(shí)用新型所提供的無接觸式晶片上料裝置的吸盤采用“伯努利”吸盤,吸盤由控制系統(tǒng)通過電磁閥控制,吸盤的平面上裝有聚氨酯墊,防止晶片在水平方向的滑動(dòng)。
本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝方便,可以滿足晶片上料的要求,且不需要提供真空設(shè)備,吸盤采用“伯努利”原理,對(duì)晶片無污染,沖擊力小;吸盤接觸面大,只需很小的接觸力就可以把晶片抓起,實(shí)現(xiàn)了無痕抓取,不會(huì)造成抓取時(shí)晶片的變形;且對(duì)晶片表面的形狀沒有特別的要求,晶片表面的彎曲翹曲不影響抓取效果。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的吸盤裝置結(jié)構(gòu)圖。
圖3是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的控制結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能詳細(xì)易懂,以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)說明。
圖1是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,圖3是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的控制結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖3所示,無接觸式晶片上料裝置包括滑臺(tái)20、吸盤裝置21、輸送皮帶22、活動(dòng)式片盒23、片盒托架24、噴氣嘴25、調(diào)速閥26、晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27。
片盒托架24用來承載活動(dòng)式片盒,其下部為一個(gè)鏤空的結(jié)構(gòu)。發(fā)片時(shí),操作人員需要將活動(dòng)式片盒23放在片盒托架上?;顒?dòng)式片盒23的底部有一塊可以升降的底板,且底板與片盒側(cè)邊的皮帶連接,與皮帶保持上下方向的同步運(yùn)動(dòng)。晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)升降的步進(jìn)電機(jī)34、零位傳感器33,絲桿,導(dǎo)軌和頂起片盒的頂起軸。噴氣嘴25設(shè)置在活動(dòng)式片盒23的對(duì)側(cè),控制系統(tǒng)通過電磁閥32控制噴氣嘴25在上料時(shí)吹出壓縮空氣將活動(dòng)式片盒23上部的堆疊晶片分離。調(diào)速閥26設(shè)置在噴氣嘴25的進(jìn)氣端,通過控制壓縮空氣的流速來調(diào)節(jié)晶片被吹起的高度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





