[實用新型]一種磁控濺射用磁場源裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320044870.X | 申請日: | 2013-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN203144509U | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭會斌;劉曉偉;孫亮;王守坤;朱夏明 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 磁控濺射 磁場 裝置 | ||
技術領域
本實用新型屬于濺射鍍膜設備技術領域,具體涉及一種磁控濺射用磁場源裝置。
背景技術
目前在薄膜場效應晶體管(TFT-LCD)濺射鍍膜工藝中多使用永磁鐵來提供磁控濺射靶所需要的磁場,該磁場一般在空間上有一定變化,表現(xiàn)為兩頭高中間低;同時在濺射鍍膜過程中,為了提高成膜均勻性、成膜穩(wěn)定性和靶材利用率,需要使該磁場在平行于靶材平面的方向連續(xù)運動;為了實現(xiàn)靶材減薄過程中靶表面磁場的穩(wěn)定性,有時還需要使磁場在垂直于靶材平面的方向連續(xù)運動。由于永磁鐵只能提供固定的磁場分布,靶材濺射過程中磁場不能靈活變化,且存在使用過程退磁等現(xiàn)象,導致膜厚均勻性和長時間生產的穩(wěn)定性較差,靶材利用率低。由于成膜均勻性和穩(wěn)定性差,批量穩(wěn)定性差,導致在后續(xù)的蝕刻工藝中,出現(xiàn)膜的斷開或短路,產生不良影響;靶材利用率低,直接導致靶材消耗量升高,從而增加了生產成本。
實用新型內容
本實用新型的目的是解決現(xiàn)有的磁控濺射用磁場源裝置不能產生隨時間和空間變化的磁場的問題,提供一種能夠產生隨時間和空間變化的磁場的磁控濺射用磁場源裝置。
解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是一種磁控濺射用磁場源裝置,所述的磁控濺射用磁場源裝置包括至少兩個電磁鐵,各個所述的電磁鐵分別連接供電單元,所述的供電單元連接用于獨立控制供電單元向各電磁鐵的輸出電流的控制單元。
優(yōu)選的是,所述的供電單元為多輸出電源,所述多輸出電源的輸出端數(shù)量大于或者等于所述電磁鐵的數(shù)量;多個所述電磁鐵分別與所述多輸出電源中的多個輸出相連,且所述多輸出電源的每一個輸出僅與一個電磁鐵相連。
優(yōu)選的是,所述的供電單元為多個獨立電源,多個所述電磁鐵分別與多個獨立電源相連,且一個獨立電源僅與一個電磁鐵相連。
優(yōu)選的是,所述的電磁鐵至少有三個,且所述的電磁鐵排列在同一平面中。
優(yōu)選的是,所述的電磁鐵至少有四個,且所述的電磁鐵排列成電磁鐵陣列。
優(yōu)選的是,所述的電磁鐵陣列的排列形狀為矩形、菱形中的一種。
本實用新型的磁控濺射用磁場源裝具有如下優(yōu)點:
本實用新型的磁控濺射用磁場源裝置通過控制單元分別調整電磁鐵陣列中各電磁鐵電流的導通與否、大小和方向,從而改變各電磁鐵提供的磁場的有無、大小和方向,為磁控濺射靶提供靈活變化的磁場,該磁場不但可以在空間分布上存在變化,而且隨著時間的推移也可以靈活調整。電磁鐵陣列中電磁鐵產生的磁場能靈活地變化以調整沉積薄膜過程中磁場的空間分布和時間分布,保證磁場在沉積薄膜過程中的空間最優(yōu)化分布和全時段最優(yōu)化分布,從而可以保證鍍膜過程中成膜性能在空間和時間上的均勻,提高成膜均勻性和穩(wěn)定性、提高靶材的利用率,從而提高產品良率和降低產品的生產成本。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例所述磁控濺射用磁場源裝置示意圖。
圖2為本實用新型實施例所述磁控濺射用磁場源裝置中的電磁鐵陣列不同時刻的控制示意圖。
具體實施方式
為使本領域技術人員更好地理解本實用新型的技術方案,下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細描述。
本實用新型提供一種磁控濺射用磁場源裝置,用于產生隨時間和空間變化的磁場的磁控濺射。
本實用新型實施例的磁控濺射用磁場源裝置,可以包括至少兩個電磁鐵,各個電磁鐵分別連接供電單元,供電單元連接用于獨立控制供電單元向各電磁鐵的輸出電流的控制單元。
本實用新型實施例的磁控濺射用磁場源裝置通過控制單元分別調整電磁鐵陣列中各電磁鐵電流的導通與否、大小和方向,從而改變各電磁鐵提供的磁場的有無、大小和方向,為磁控濺射靶提供靈活變化的磁場,該磁場不但可以在空間分布上存在變化,而且可以隨著時間的推移也可以靈活調整。電磁鐵陣列中電磁鐵產生的磁場能靈活地變化以調整沉積薄膜過程中磁場的空間分布和時間分布,保證磁場在沉積薄膜過程中的空間最優(yōu)化分布和全時段最優(yōu)化分布,從而可以保證鍍膜過程中成膜性能在空間和時間上的均勻,提高成膜均勻性和穩(wěn)定性、提高靶材的利用率,從而提高產品良率和降低產品的生產成本。
參見圖1,該圖為本實用新型實施例的磁控濺射用磁場源裝置示意圖。
本實用新型實施例的磁控濺射用磁場源裝置具體可以包括兩個電磁鐵,兩個電磁鐵分別連接供電單元。
磁控濺射用磁場源裝置還包括與供電單元相連的控制單元,控制單元用于獨立控制供電單元向兩個電磁鐵供電即控制兩個電磁鐵輸入電流。
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