[實用新型]鐵電薄膜電容

有效

• 申請號: 201320042511.0
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN203013715U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 周靜;謝文廣;李鐘婧
• 申請（專利權）人: 黑龍江大學
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 張宏威

技術領域

本實用新型涉及用于鐵電存儲器的鐵電薄膜電容，屬于鐵電薄膜技術領域。

背景技術

鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，它采用人工合成的鉛鋯鈦PZT材料形成存儲器結晶體。鐵電存儲器在掉電后仍然能夠繼續保存數據，寫入速度快且具有無限次寫入壽命，不容易寫壞。因此，與閃存和EEPROM等較早期的非易失性內存技術比較，鐵電存儲器具有更高的寫入速度和更長的讀寫壽命。

PZT鐵電電容作為鐵電存儲器的主要存儲介質，具有較大的疲勞速率和較差的漏電流特性，由于在金屬Pt上制備的鐵電薄膜結晶性能較差，使得PZT鐵電電容的性能差，漏電流大。

發明內容

本實用新型是為了解決現有PZT鐵電電容的性能差及漏電流大的問題，提供了一種鐵電薄膜電容。

本實用新型所述鐵電薄膜電容，它包括硅基底層，它還包括六個上電極、六個上電極緩沖柱、鐵電薄膜層、下電極緩沖層、下電極層和阻擋層；

所述鐵電薄膜層為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層的厚度為400nm至480nm；

硅基底層上由下至上順次粘接固定阻擋層、下電極層、下電極緩沖層和鐵電薄膜層，鐵電薄膜層的上表面上均勻分布六個上電極緩沖柱，每個上電極緩沖柱上均設置一個上電極。

所述上電極為鋁電極，下電極層為鉑電極層。

本實用新型的優點：本實用新型所述鐵電薄膜電容的結晶性能好，具有良好的疲勞特性及鐵電性，漏電流較小。

本實用新型所述鐵電薄膜電容在制備的時候，所需硅基底層的溫度較低，與集成工藝的兼容性好。

附圖說明

圖1是本實用新型所述鐵電薄膜電容的結構示意圖。

具體實施方式

具體實施方式一：下面結合圖1說明本實施方式，本實施方式所述鐵電薄膜電容，它包括硅基底層1，它還包括六個上電極2、六個上電極緩沖柱3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6和阻擋層7；

所述鐵電薄膜層4為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層4的厚度為400nm至480nm；

硅基底層1上由下至上順次粘接固定阻擋層7、下電極層6、下電極緩沖層5和鐵電薄膜層4，鐵電薄膜層4的上表面上均勻分布六個上電極緩沖柱3，每個上電極緩沖柱3上均設置一個上電極2。

本實施方式中，上電極緩沖柱3和下電極緩沖層5均采用超大磁電阻材料制成；上電極緩沖柱3的厚度為120-180nm；下電極緩沖層5的厚度為10-15nm；阻擋層7為二氧化硅阻擋層。

具體實施方式二：本實施方式為對實施方式一的進一步說明，本實施方式所述上電極2為鋁電極，下電極層6為鉑電極層。

本實施方式中，下電極層6的厚度為120-180nm，上電極2的厚度為100-120nm。