[實用新型]鐵電薄膜電容有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320042511.0 | 申請日： | 2013-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN203013715U | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周靜;謝文廣;李鐘婧 | 申請（專利權(quán)）人： | 黑龍江大學(xué) |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109 | 代理人： | 張宏威 |
| 地址： | 150080 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 電容 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種鐵電薄膜電容，它包括硅基底層(1)，其特征在于，它還包括六個上電極(2)、六個上電極緩沖柱(3)、鐵電薄膜層(4)、下電極緩沖層(5)、下電極層(6)和阻擋層(7)；
所述鐵電薄膜層(4)為摻鉭的鉛鋯鈦薄膜層，該鐵電薄膜層(4)的厚度為400nm至480nm；
硅基底層(1)上由下至上順次粘接固定阻擋層(7)、下電極層(6)、下電極緩沖層(5)和鐵電薄膜層(4)，鐵電薄膜層(4)的上表面上均勻分布六個上電極緩沖柱(3)，每個上電極緩沖柱(3)上均設(shè)置一個上電極(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電薄膜電容，其特征在于，所述上電極(2)為鋁電極，下電極層(6)為鉑電極層。
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