[實(shí)用新型]一種用于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320021256.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-15 |
公開(公告)號(hào): | CN203179854U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李廣寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68 |
代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 余明偉 |
地址: | 100176 北京市大興區(qū)大*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 半導(dǎo)體 退火 定位 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備,特別是涉及一種用于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體工業(yè)中,硅晶圓需要進(jìn)行退火,如在大規(guī)模的金屬沉積之后,需要通過退火工藝流程使得晶圓中原子顆粒長(zhǎng)大,從而使得晶格更加穩(wěn)定,同時(shí)可以釋放金屬中存在的應(yīng)力作用,有利于后續(xù)的可靠性測(cè)試。
現(xiàn)有的一種退火腔室,其包括一加熱室及一冷卻室,加熱室用于對(duì)晶圓升溫,冷卻室用于對(duì)晶圓降溫,每個(gè)制程室包括有載片臺(tái)101和腔室壁102,并通過一傳送裝置103進(jìn)行晶圓在加熱室和冷卻室之間的位置轉(zhuǎn)換,所述載片臺(tái)中具有用于收容所述傳送裝置103的收容槽,如圖1所示。在冷熱轉(zhuǎn)換過程中,通過傳送裝置將晶圓抬起,然后平動(dòng)至另一個(gè)制程室并降下,從而實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱室和冷卻室之間的位置轉(zhuǎn)換。然而,在所述傳送裝置平動(dòng)的過程中,由于機(jī)械傳動(dòng)部分的不順暢移動(dòng),晶圓可能發(fā)生偏移,從而使晶圓被放入載片臺(tái)時(shí)出現(xiàn)位置的偏移,這時(shí),晶圓表面在后來送出制程室時(shí),會(huì)容易被機(jī)械手刮傷,甚至容易造成裂片;而且,如果晶圓位置出現(xiàn)偏移,在傳送裝置抬起或移動(dòng)過程中會(huì)出現(xiàn)掉片現(xiàn)象,使整個(gè)機(jī)臺(tái)停機(jī)。同時(shí),晶圓位置的偏移使其暴露于酸性環(huán)境中,導(dǎo)致晶圓被腐蝕而造成損失。
因此,提供一種有效避免晶圓位置偏移,降低晶圓被刮傷及碎片幾率的,并適用于現(xiàn)有的退火腔室的晶圓定位裝置實(shí)屬必要。
實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于晶圓位置的偏移而造成晶圓容易被刮傷、碎片或被酸性腐蝕等問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種用于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置,所述半導(dǎo)體退火腔室包括載片臺(tái)、環(huán)繞于該載片臺(tái)的腔室壁以及傳送裝置,所述載片臺(tái)具有傳送裝置的收容槽,所述腔室壁具有多個(gè)定位槽,所述晶圓定位裝置至少包括:
氣缸,固定于所述定位槽內(nèi),并連接有充氣裝置;
活塞,連接于所述氣缸內(nèi);
活塞桿,連接于所述活塞,并延伸至所述腔室壁外部;
兩定位板,呈第一夾角固定于所述活塞桿的端部;
兩支撐板,呈第二夾角套設(shè)于所述活塞桿上,且與所述定位板具有預(yù)設(shè)間距,所述支撐板中具有多個(gè)朝向所述定位板的卡槽;
多個(gè)定位銷,各該定位銷連接有彈簧,且各該定位銷卡接于各該卡槽內(nèi)并將各該彈簧壓縮于各該卡槽內(nèi)。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,每個(gè)半導(dǎo)體退火腔室具有3個(gè)晶圓定位裝置,各該晶圓定位裝置呈120度夾角固定于所述腔室壁上。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,每個(gè)半導(dǎo)體退火腔室具有4個(gè)晶圓定位裝置,各該晶圓定位裝置呈90度夾角固定于所述腔室壁上。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,所述定位板為耐火彈性板。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,所述支撐板為耐火剛性板。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,所述卡槽內(nèi)還具有按壓開關(guān),所述定位銷被按壓后通過所述彈簧將其彈出。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,所述支撐板與所述定位板平行。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一夾角與所述第二夾角均為90度~180度。
作為本實(shí)用新型的于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置的一種優(yōu)選方案,每個(gè)支撐板上均勻分布有2~12個(gè)定位銷。
如上所述,本實(shí)用新型提供一種用于半導(dǎo)體退火腔室的晶圓定位裝置,所述半導(dǎo)體退火腔室包括載片臺(tái)、環(huán)繞于該載片臺(tái)的腔室壁以及傳送裝置,所述載片臺(tái)具有傳送裝置的收容槽,所述腔室壁具有多個(gè)定位槽,所述晶圓定位裝置至少包括:氣缸,固定于所述定位槽內(nèi),并連接有充氣裝置;活塞,連接于所述氣缸內(nèi);活塞桿,連接于所述活塞,并延伸至所述腔室壁外部;兩定位板,呈第一夾角固定于所述活塞桿的端部;兩支撐板,呈第二夾角套設(shè)于所述活塞桿上,且與所述定位板具有預(yù)設(shè)間距,所述支撐板中具有多個(gè)朝向所述定位板的卡槽;多個(gè)定位銷,各該定位銷連接有彈簧,且各該定位銷卡接于各該卡槽內(nèi)并將各該彈簧壓縮于各該卡槽內(nèi)。本實(shí)用新型在退火腔室中加入了晶圓定位裝置,可以有效避免晶圓位置的偏移,在晶圓位置偏移時(shí)可以有效對(duì)其進(jìn)行調(diào)整,降低晶圓被刮傷及碎片的幾率,提高生產(chǎn)的良率。
附圖說明
圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體退火腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造