[實用新型]一種用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置有效
| 申請號： | 201320021256.1 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN203179854U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 李廣寧 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 100176 北京市大興區大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 半導體 退火 定位 裝置 | ||
1.一種用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，所述半導體退火腔室包括載片臺、環繞于該載片臺的腔室壁以及傳送裝置，所述載片臺具有傳送裝置的收容槽，其特征在于：所述腔室壁具有多個定位槽，所述晶圓定位裝置至少包括：?
氣缸，固定于所述定位槽內，并連接有充氣裝置；?
活塞，連接于所述氣缸內；?
活塞桿，連接于所述活塞，并延伸至所述腔室壁外部；?
兩定位板，呈第一夾角固定于所述活塞桿的端部；?
兩支撐板，呈第二夾角套設于所述活塞桿上，且與所述定位板具有預設間距，所述支撐板中具有多個朝向所述定位板的卡槽；?
多個定位銷，各該定位銷連接有彈簧，且各該定位銷卡接于各該卡槽內并將各該彈簧壓縮于各該卡槽內。?
2.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：每個半導體退火腔室具有3個晶圓定位裝置，各該晶圓定位裝置呈120度夾角固定于所述腔室壁上。?
3.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：每個半導體退火腔室具有4個晶圓定位裝置，各該晶圓定位裝置呈90度夾角固定于所述腔室壁上。?
4.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：所述定位板為耐火彈性板。?
5.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：所述支撐板為耐火剛性板。?
6.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：所述卡槽內還具有按壓開關，所述定位銷被按壓后通過所述彈簧將其彈出。?
7.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：所述支撐板與所述定位板平行。?
8.根據權利要求7所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：所述第一夾角與所述第二夾角均為90度～180度。?
9.根據權利要求1所述的用于半導體退火腔室的晶圓定位裝置，其特征在于：每個支撐板上均勻分布有2～12個定位銷。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
