[實用新型]一種紅外燈延時電路及紅外日夜型攝像機

有效

• 申請號: 201320019379.1
• 申請日: 2013-01-15
• 公開（公告）號: CN203167340U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 陳浩生;胡德偉;時志杰
• 申請（專利權）人: 深圳市豪恩安全科技有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02;G03B15/05;H04N5/232
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本實用新型屬于攝像機領域，尤其涉及一種紅外燈延時電路及紅外日夜型攝像機。

背景技術

日長生活中，我們使用的紅外日夜型攝像機，當夜晚達到設定的照度時紅外燈開啟，使紅外光感應到的圖像達到監控的效果。

現有的紅外日夜型攝像機當紅外燈自動開啟后，受到汽車等強光瞬間照射后，紅外燈電路關閉時會造成圖像的瞬間波動干擾，對拍攝的圖像成像效果造成很大干擾，不利于清晰地感知圖片帶來的美妙效果及意境。

實用新型內容

本實用新型提供了一種紅外燈延時電路，旨在解決現有紅外日夜型攝像機夜晚拍攝時受到汽車等強光瞬間照射后，紅外燈電路關閉時會造成圖像的瞬間波動干擾，對拍攝到的圖像成像效果造成很大干擾的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種紅外燈延時電路，與電池連接，包括：

限流電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R4、光敏電阻R3、紅外發光二極管D1、極性電容C1、第一開關管、第二開關管；

所述限流電阻R1的第一端、所述限流電阻R4的第一端以及所述紅外發光二極管D1的陽極共接于所述電池的正極，所述限流電阻R1的第二端分別與所述第一開關管的控制端和所述光敏電阻R3的第一端連接，所述限流電阻R4的第二端與所述第一開關管的高電位端連接，所述第一開關管的低電位端分別與所述限流電阻R2的第一端和所述極性電容C1的陽極以及所述第二開關管的控制端連接，所述第二開關管的高電位端與所述紅外發光二極管的陰極連接，所述電池的負極和所述光敏電阻R3的第二端、所述限流電阻R2的第二端、所述極性電容C1的陰極以及所述第二開關管的低電位端共接于地。

進一步地，所述第一開關管采用NPN型三極管Q1，所述NPN型三極管Q1的基極為第一開關管的控制端，所述NPN型三極管Q1的集電極為第一開關管的高電位端，所述NPN型三極管Q1的發射極為第一開關管的低電位端。

進一步地，所述第二開關管采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關管的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關管的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發射極為第二開關管的低電位端。

進一步地，所述第一開關管采用N型MOS管Q3，所述N型MOS管Q3的柵極為第一開關管的控制端，所述N型MOS管Q3的漏極為第一開關管的高電位端，所述N型MOS管Q3的源極為第一開關管的低電位端。

進一步地，所述第二開關管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的柵極為第二開關管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏極為第二開關管的高電位端，所述N型MOS管Q4的源極為第二開關管的低電位端。

本發明還提供了一種紅外日夜型攝像機，包括紅外燈延時電路，所述紅外燈延時電路包括：

限流電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R4、光敏電阻R3、紅外發光二極管D1、極性電容C1、第一開關管、第二開關管；

所述限流電阻R1的第一端、所述限流電阻R4的第一端以及所述紅外發光二極管D1的陽極共接于所述電池的正極，所述限流電阻R1的第二端分別與所述第一開關管的控制端和所述光敏電阻R3的第一端連接，所述限流電阻R4的第二端與所述第一開關管的高電位端連接，所述第一開關管的低電位端分別與所述限流電阻R2的第一端和所述極性電容C1的陽極以及所述第二開關管的控制端連接，所述第二開關管的高電位端與所述紅外發光二極管的陰極連接，所述電池的負極和所述光敏電阻R3的第二端、所述限流電阻R2的第二端、所述極性電容C1的陰極以及所述第二開關管的低電位端共接于地。

進一步地，所述第一開關管采用NPN型三極管Q1，所述NPN型三極管Q1的基極為第一開關管的控制端，所述NPN型三極管Q1的集電極為第一開關管的高電位端，所述NPN型三極管Q1的發射極為第一開關管的低電位端。

進一步地，所述第二開關管采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關管的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關管的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發射極為第二開關管的低電位端。

進一步地，所述第一開關管采用N型MOS管Q3，所述N型MOS管Q3的柵極為第一開關管的控制端，所述N型MOS管Q3的漏極為第一開關管的高電位端，所述N型MOS管Q3的源極為第一開關管的低電位端。

進一步地，所述第二開關管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的柵極為第二開關管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏極為第二開關管的高電位端，所述N型MOS管Q4的源極為第二開關管的低電位端。