[實用新型]一種紅外燈延時電路及紅外日夜型攝像機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320019379.1 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN203167340U | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳浩生;胡德偉;時志杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市豪恩安全科技有限公司 |
| 主分類號： | H05B37/02 | 分類號： | H05B37/02;G03B15/05;H04N5/232 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518106 廣東省深圳市光明新區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紅外 延時 電路 日夜 攝像機 | ||
1.一種紅外燈延時電路，與電池連接，其特征在于，包括：
限流電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R4、光敏電阻R3、紅外發(fā)光二極管D1、極性電容C1、第一開關(guān)管、第二開關(guān)管；
所述限流電阻R1的第一端、所述限流電阻R4的第一端以及所述紅外發(fā)光二極管D1的陽極共接于所述電池的正極，所述限流電阻R1的第二端分別與所述第一開關(guān)管的控制端和所述光敏電阻R3的第一端連接，所述限流電阻R4的第二端與所述第一開關(guān)管的高電位端連接，所述第一開關(guān)管的低電位端分別與所述限流電阻R2的第一端和所述極性電容C1的陽極以及所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二開關(guān)管的高電位端與所述紅外發(fā)光二極管的陰極連接，所述電池的負(fù)極和所述光敏電阻R3的第二端、所述限流電阻R2的第二端、所述極性電容C1的陰極以及所述第二開關(guān)管的低電位端共接于地。
2.如權(quán)利要求1所述的紅外燈延時電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用NPN型三極管Q1，所述NPN型三極管Q1的基極為第一開關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q1的集電極為第一開關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極為第一開關(guān)管的低電位端。
3.如權(quán)利要求2所述的紅外燈延時電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極為第二開關(guān)管的低電位端。
4.如權(quán)利要求1所述的紅外燈延時電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用N型MOS管Q3，所述N型MOS管Q3的柵極為第一開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q3的漏極為第一開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q3的源極為第一開關(guān)管的低電位端。
5.如權(quán)利要求4所述的紅外燈延時電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的柵極為第二開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏極為第二開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q4的源極為第二開關(guān)管的低電位端。
6.一種紅外日夜型攝像機，其特征在于，包括紅外燈延時電路，所述紅外燈延時電路包括：
限流電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R4、光敏電阻R3、紅外發(fā)光二極管D1、極性電容C1、第一開關(guān)管、第二開關(guān)管；
所述限流電阻R1的第一端、所述限流電阻R4的第一端以及所述紅外發(fā)光二極管D1的陽極共接于所述電池的正極，所述限流電阻R1的第二端分別與所述第一開關(guān)管的控制端和所述光敏電阻R3的第一端連接，所述限流電阻R4的第二端與所述第一開關(guān)管的高電位端連接，所述第一開關(guān)管的低電位端分別與所述限流電阻R2的第一端和所述極性電容C1的陽極以及所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二開關(guān)管的高電位端與所述紅外發(fā)光二極管的陰極連接，所述電池的負(fù)極和所述光敏電阻R3的第二端、所述限流電阻R2的第二端、所述極性電容C1的陰極以及所述第二開關(guān)管的低電位端共接于地。
7.如權(quán)利要求6所述的紅外日夜型攝像機，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用NPN型三極管Q1，所述NPN型三極管Q1的基極為第一開關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q1的集電極為第一開關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極為第一開關(guān)管的低電位端。
8.如權(quán)利要求7所述的紅外日夜型攝像機，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極為第二開關(guān)管的低電位端。
9.如權(quán)利要求6所述的紅外日夜型攝像機，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用N型MOS管Q3，所述N型MOS管Q3的柵極為第一開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q3的漏極為第一開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q3的源極為第一開關(guān)管的低電位端。
10.如權(quán)利要求9所述的紅外日夜型攝像機，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的柵極為第二開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏極為第二開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q4的源極為第二開關(guān)管的低電位端。
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