[實用新型]一種影像傳感器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320016896.3
• 申請日: 2013-01-14
• 公開（公告）號: CN203165886U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李平
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及影像傳感器制造領(lǐng)域，具體涉及一種影像傳感器結(jié)構(gòu)。?

背景技術(shù)

在背照式影像傳感器工藝流程中，硅基底蝕刻后會暴露在空氣中，極易受到污染，需要淀積氧化層進(jìn)行保護(hù)，但是淀積的氧化物需要使用光刻及刻蝕打開氧化物層進(jìn)而刻蝕硅刻蝕之下的區(qū)域。現(xiàn)有工藝在器件晶圓與邏輯晶圓鍵合后，最終刻蝕出三階臺階結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，所需成本較高，并且由于頂層金屬在二階臺階出，由于工藝尺寸所致，填充金屬與頂層金屬接觸面較小，電阻大而導(dǎo)致的導(dǎo)電性能不佳。?

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種影像傳感器結(jié)構(gòu)來解決現(xiàn)有技術(shù)中影像傳感器結(jié)構(gòu)復(fù)雜，所需成本高，導(dǎo)電性不佳的問題。?

本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，包括邏輯晶圓和器件晶圓,所述邏輯晶圓上設(shè)有有邏輯晶圓二氧化硅層,所述邏輯晶圓二氧化硅層上覆蓋有邏輯晶圓頂層頂層金屬,所述邏輯晶圓頂層金屬上設(shè)有鍵合氧化物層,所述鍵和氧化層上設(shè)有器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設(shè)有器件晶圓二氧化硅層,所述器件晶圓器件晶圓二氧化硅層上為器件晶圓,所述器件晶圓二氧化硅層上設(shè)有溝槽，所述溝槽底部為器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設(shè)有鍵合層深通孔，所述鍵合層深通孔底部為邏輯晶圓金屬層，所述鍵合層深通孔與溝槽之中布滿銅。?

本實用新型的有益效果是：在通過使原來的結(jié)構(gòu)中三階臺階變?yōu)槎A臺階，簡化了結(jié)構(gòu)致使減少了制作流程中的步驟，進(jìn)而減少了生產(chǎn)成本，增加了器件晶圓頂層金屬與開口中銅的接觸面積增大，提高了導(dǎo)電效果，進(jìn)而提高影像傳感器的性能。?

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實用新型還可以做如下改進(jìn)。?

進(jìn)一步，所述器件晶圓頂層金屬與鍵和氧化層之間設(shè)有阻擋層；?

進(jìn)一步，所述邏輯晶圓頂層金屬與鍵和氧化層之間設(shè)有阻擋層；?

進(jìn)一步，所述溝槽與鍵合層深通孔與布滿其中的銅之間設(shè)有阻擋層。?

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是防止填充的金屬銅向溝槽附近擴(kuò)散，從而影響器件的性能，進(jìn)一步提高了影像傳感器的質(zhì)量。?

附圖說明

圖1為本實用新型影像傳感器結(jié)構(gòu)圖；?

附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下：?

1、器件晶圓，2、邏輯晶圓，3、器件晶圓二氧化硅層，4、邏輯晶圓二氧化硅層，5、器件晶圓頂層金屬，6、邏輯晶圓頂層金屬，7、鍵合氧化物層，8、鍵合層深通孔，9、溝槽。?

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。?

如圖1所示，包括邏輯晶圓2和器件晶圓1,所述邏輯晶圓2上設(shè)有有邏輯晶圓二氧化硅層4,所述邏輯晶圓二氧化硅層4上覆蓋有邏輯晶圓頂層金屬6,所述邏輯晶圓頂層金屬6上設(shè)有鍵合氧化物層7,所述鍵和氧化層7上設(shè)有器件晶圓頂層金屬5，所述器件晶圓頂層金屬5上設(shè)有器件晶圓二氧化?硅層3,所述器件晶圓器件晶圓二氧化硅層3上為器件晶圓1,所述器件晶圓二氧化硅層3上設(shè)有溝槽9，所述溝槽9底部為器件晶圓頂層金屬5，所述器件晶圓頂層金屬5上設(shè)有鍵合層深通孔8，所述鍵合層深通孔8底部為邏輯晶圓金屬層6，所述鍵合層深通孔8與溝槽9之中布滿銅。?

所述鍵合層通孔8和溝槽9與其中布滿的銅之間設(shè)有一層阻擋層，所述邏輯晶圓頂層金屬6與鍵和氧化物層7之間設(shè)有阻擋層，所述器件晶圓頂層金屬5與鍵和氧化物層7之間設(shè)有阻擋層，所述阻擋層為氮化鈦阻擋層。?

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。?