[實用新型]一種抑制串擾的影像傳感器

有效

• 申請號: 201320016605.0
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN203013728U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李平
• 申請（專利權）人: 陸偉
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本實用新型涉及一種影像傳感器，尤其涉及一種抑制串擾的影像傳感器。

背景技術

背照式影像傳感器越來越多的應用于攝像頭，然而背照式影像傳感器的成像質量是攝像頭攝像質量的一個重要制約因素，串擾是背照式影像傳感器成像質量的一個重要影響因素，傳統的工藝一般是采用金屬遮蔽層來解決串擾問題，這雖然在一定程度上可以解決色彩串擾所帶來的影像成像問題，然而由于金屬遮蔽工藝本身的限制，遮蔽易形成錐狀，所以會有串擾的問題產生。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種抑制串擾的影像傳感器，在金屬遮蔽層的均勻連續的梯形凹槽的兩個側面上和兩個凹槽的連接處淀積淀積一層消光物質來解決串擾問題的產生。

本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下：一種抑制串擾的影像傳感器，包括載片、器件晶圓、光電二極管、高介電層，金屬遮蔽層；所述高介電層為高介電常數的介質，影響影像傳感器的靈敏；所述的金屬遮蔽層為一層金屬物質，在一定的程度上可以抑制串擾的產生；所述器件晶圓的正面與載片相接觸，所述器件晶圓的背面上有一層高介電層，所述金屬遮蔽層位于高介電層上，所述金屬遮蔽層上設有均勻連續的梯形凹槽，所述光電二極管內嵌于器件晶圓的背面且正對于梯形凹槽的底部，在金屬遮蔽層的均勻連續的梯形凹槽的兩個側面上和兩個凹槽的連接處淀積有一層高消光物質層，凹槽的底部沒有此高消光物質層，高消光物質可以吸收造成反射的入射光線，避免串擾的形成，所述消光物質層的厚度范圍為所述的消光物質層為氮化物，如氮氧化硅（SION），氮化硅(SiN),氮化鈦（TiN）,氮化鉭（TaN）等。

本實用新型的有益效果是：金屬遮蔽層的均勻連續的梯形凹槽的兩個側面上和兩個凹槽的連接處淀積淀積一層消光物質，解決了串擾問題的產生，提高了影像傳感器的成像質量。

附圖說明

圖1為本實用新型一種抑制串擾的影像傳感器的結構示意圖。

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

1、載片，2、器件晶圓，3、光電二極管，4、高介電層，5、金屬遮蔽層，6、消光物質層。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。

如圖1所示，一種抑制串擾的影像傳感器，包括載片1、器件晶圓2、光電二極管3、高介電層4，金屬遮蔽層5，所述器件晶圓2的正面與載片1相接觸，所述器件晶圓2的背面上有一層高介電層4，所述金屬遮蔽層5位于高介電層4上，所述金屬遮蔽層5上設有均勻連續的梯形凹槽，所述光電二極管3內嵌于器件晶圓2的背面且正對于金屬遮蔽層5的梯形凹槽的下面，在金屬遮蔽層5的均勻連續的梯形凹槽的均勻連續的梯形凹槽的兩個側面上和兩個凹槽的連接處淀積淀積有一層高消光物質層6，金屬遮蔽層5的梯形凹槽底部沒有此高消光物質層6，所述消光物質層6的厚度范圍為所述的消光物質層6為氮化物，可以為氮氧化硅（SION），氮化硅(SiN),氮化鈦（TiN）,氮化鉭（TaN）等。

所述高消光物質層6可以通過等離子體增強化學氣相淀積或者爐管等生長，在金屬遮蔽層5的表面淀積一層高消光物質層6后，通過干法蝕刻掉凹槽底部的高消光物質層6，其最佳的實施方式為采用等離子體增強化學氣相淀積氮氧化硅的高消光物質層6，其中氮氧化硅高消光物質層6的厚度為在現有技術中，沒有高消光物質層6，由于金屬遮蔽工藝本身的限制，遮蔽會形成錐狀，入射光線經金屬遮蔽層側壁反射至相鄰的光電二極管3，造成色彩的串擾，而在本實用新型中，增加了一層高消光物質層6，入射光線射入高消光物質層6的側壁后，被高消光物質層6吸收，不會造成色彩的串擾，所以提高了影像傳感器的成像質量。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。