[實用新型]一種抑制串擾的影像傳感器有效
| 申請號: | 201320016605.0 | 申請日: | 2013-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN203013728U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 李平 | 申請(專利權)人: | 陸偉 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立 |
| 地址: | 200124 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 影像 傳感器 | ||
1.一種抑制串擾的影像傳感器,包括載片、器件晶圓、光電二極管、高介電層,金屬遮蔽層,所述器件晶圓的正面與載片相接觸,所述器件晶圓的背面上有一層高介電層,所述金屬遮蔽層位于高介電層上,所述金屬遮蔽層上設有均勻連續的梯形凹槽,所述光電二極管內嵌于器件晶圓的背面且正對于梯形凹槽的底部,其特征在于:在金屬遮蔽層的均勻連續的梯形凹槽的兩個側面上和兩個凹槽的連接處淀積有一層高消光物質層。
2.根據權利要求1所述的一種抑制串擾的影像傳感器,其特征在于:所述消光物質層的厚度范圍為
3.根據權利要求1或2所述的一種抑制串擾的影像傳感器,其特征在于:所述的消光物質層為氮化物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





