[實用新型]一種鍵合后的晶圓

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320016384.7
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN203085526U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設計）人: 李平
• 申請（專利權）人: 陸偉
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本實用新型涉及一種鍵合后的晶圓，特別涉及一種含有內(nèi)在停止層的鍵合晶圓。

背景技術

晶圓鍵合工藝被廣泛應用于先進半導體封裝，如BSI?CMOS傳感器，CEMES等，晶圓鍵合工藝中的問題是載片晶圓（晶圓背面）如何與器件晶圓（晶圓正面）進行對準，另外晶圓正面減薄和修邊過程中是否有較好作用的停止層。

現(xiàn)有的晶圓減薄和修邊工藝中，一般采用兩種方式，一是使用絕緣襯底上的硅技術利用氧化物作為硅蝕刻的停止層，但這種方式價格昂貴；另一種采用P型的外延硅晶圓，但這種方式需要特別的酸蝕刻硅，且硅蝕刻很難平穩(wěn)的停在外延層。現(xiàn)有工藝的另一個問題是鍵合工藝載片晶圓與器件晶圓進行對準過程中，為了可以從背面看到器件晶圓的對準標識，需要另一套光罩打開背面切割道。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種鍵合后的晶圓，為晶圓的修邊和減薄工藝提供內(nèi)在的停止層，且當減薄至停止層后，對準標識會自動的顯現(xiàn)在背面的切割道上。

本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下：一種鍵合后的晶圓，其特征在于，包括載片晶圓和器件晶圓，所述器件晶圓包括硅襯底和介質層，所述介質層淀積在硅襯底上，所述器件晶圓的介質層所在的那一面與載片晶圓鍵合連接，所述硅襯底中分別內(nèi)嵌有停止層和對準標識。

在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進：

進一步，所述停止層為氧化物。

進一步，停止層與所述對準標識在硅襯底中內(nèi)嵌的深度相同。

本實用新型的有益效果是：本實用新型為晶圓的修邊和減薄工藝提供了內(nèi)在的停止層，且當減薄至停止層后，對準標識會自動的顯現(xiàn)在背面的切割道上。

附圖說明

圖1為本實用新型鍵合后的晶圓結構圖。

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

1、載片晶圓，2、介質層，3、硅襯底，4、器件晶圓，5、停止層，6、對準標識。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。

如圖1所示，一種鍵合后的晶圓，包括載片晶圓1和器件晶圓4，器件晶圓4包括硅襯底3和介質層2，介質層2淀積在硅襯底3上，器件晶圓4的介質層所在的那一面與載片晶圓1鍵合連接，硅襯底3中分別內(nèi)嵌有停止層5和對準標識6。

在鍵合過程中，先制作一個含有內(nèi)在CMP研磨墊和對準標識的器件晶圓（晶圓正面），然后將載片晶圓與器件晶圓鍵合連接。在晶圓減薄和修邊工藝中，把CMP研磨墊作為停止層，對準標識用于載片晶圓與器件晶圓鍵合連接中的對準。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。