[實用新型]真空等離子刻蝕反應腔體設備

有效

• 申請號: 201320016210.0
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN203085485U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 孫希
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/04
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

技術領域

本實用新型涉及一種半導體集成電路制造設備，特別是涉及一種真空等離子刻蝕反應腔體設備。?

背景技術

半導體芯片生產設備的真空等離子刻蝕反應腔體設備系統，等離子刻蝕工藝反應腔上下部分需要大功率高頻(大于或等于13.56MHz)的交變電源，將工藝反應腔中的刻蝕氣體分子離子化，從而對各種薄膜(如多晶硅、氮化硅、氧化硅等)和硅襯底材料進行刻蝕。?

現有真空等離子刻蝕反應腔體下電極中傳片的頂針，使用金屬棒串聯10K歐的純電阻，用來阻止大功率高頻(大于或等于13.56MHz)的交變電源功率的流失，并在大功率高頻(大于或等于13.56MHz)的交變電源停止時，對產品硅片形成靜電放電功能，便于硅片傳片頂針上移。但是由于靜電放電回路電阻大(10K歐)，造成靜電放電不足，硅片傳片頂針上移不暢，產生傳片出錯。?

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，能即滿足阻止大功率高頻(大于或等于13.56MHz)的交變電源功率的流失，又改善靜電放電回路。?

為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，包括腔體上極板及腔體下極板，所述腔體上極板及腔體下極板分別連接交變電源，硅片設置在所訴腔體下極板的上方，腔體下極板中設置有多個通孔，用于通過頂針，每個所述頂針中串聯一電感，所述頂針設置在頂針支撐架上，所述頂針支撐架與氣缸相連，通過所述氣缸帶動所述頂針上下移動，所述氣缸接地。?

進一步的，所述頂針結構包括擋板、頂針上部及頂針下部，其中擋板設置于頂針上部與頂針下部之間，取到限位的作用。?

進一步的，所述交變電源的頻率大于或等于13.56MHz。?

進一步的，所述電感的感抗大于或等于10K歐。?

進一步的，所述電感串聯在所述頂針下部中。?

本實用新型的真空等離子刻蝕反應腔體設備，根據電感的隔交流通直流的特性，使用頂針串聯一電感，即滿足阻止大功率高頻的交變電源功率的流失，又改善靜電放電回路。?

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明：?

圖1是本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在硅片刻蝕中的結構示意圖；?

圖2是本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在硅片刻蝕后的結構示意圖；?

圖3是本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備的頂針結構示意圖。?

主要附圖標記說明：?

腔體上極板1??????腔體下極板2?

硅片3????????????通孔4?

頂針5????????????電感6?

頂針支撐架7??????氣缸8?

擋板51???????????頂針上部52?

頂針下部53?

具體實施方式

為使貴審查員對本實用新型的目的、特征及功效能夠有更進一步的了解與認識，以下配合附圖詳述如后。?

如圖1所示，為本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在硅片刻蝕中的結構示意圖，腔體上極板1及腔體下極板2分別連接大功率高頻(大于或等于13.56MHz)的交變電源，硅片3設置在腔體下極板2的上方，腔體下極板2中設置有多個通孔4，用于通過頂針5，每個頂針5中串聯一在所述交變電源條件下感抗大于或等于10K歐的電感6，頂針5設置在頂針支撐架7上，頂針支撐架7與氣缸8相連，通過氣缸8帶動頂針5上下移動，氣缸8接地。則根據公式L＝10/2πf，可以得出本實用新型滿足阻止大功率高頻(大于或等于13.56MHz)的交變?電源功率的流失，又改善靜電放電回路。其中L表示電感，單位為毫亨，f表示頻率。?

如圖2為本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備在硅片刻蝕后的結構示意圖，從圖2可以看出，腔體在硅片3刻蝕完后，頂針5將硅片3頂起，進行傳送。?

如圖3所示，為本實用新型真空等離子刻蝕反應腔體設備的頂針結構示意圖，包括擋板51，頂針上部52及頂針下部53，其中擋板51設置于頂針上部52與頂針下部53之間，取到限位的作用，頂針上部52用于通過腔體下極板2中的通孔4頂起硅片3，頂針下部53中串聯電感6。?

以上通過具體實施例對本實用新型進行了詳細的說明，但這些并非構成對本實用新型的限制。在不脫離本實用新型原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本實用新型的保護范圍。?