[實用新型]真空等離子刻蝕反應腔體設備有效

申請號：	201320016210.0	申請日：	2013-01-11
公開（公告）號：	CN203085485U	公開（公告）日：	2013-07-24
發明（設計）人：	孫希	申請（專利權）人：	上海華虹NEC電子有限公司
主分類號：	H01J37/32	分類號：	H01J37/32;H01J37/04
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	丁紀鐵
地址：	201206 上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	真空等離子刻蝕反應設備
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【權利要求書】：

1.一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特征在于，包括腔體上極板及腔體下極板，所述腔體上極板及腔體下極板分別連接交變電源，硅片設置在所訴腔體下極板的上方，腔體下極板中設置有多個通孔，用于通過頂針，每個所述頂針中串聯一電感，所述頂針設置在頂針支撐架上，所述頂針支撐架與氣缸相連，通過所述氣缸帶動所述頂針上下移動，所述氣缸接地。?

2.如權利要求1所述真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特征在于，所述頂針結構包括擋板、頂針上部及頂針下部，其中擋板設置于頂針上部與頂針下部之間，取到限位的作用。?

3.如權利要求1所述真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特征在于，所述交變電源的頻率大于或等于13.56MHz。?

4.如權利要求3所述真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特征在于，所述電感的感抗大于或等于10K歐。?

5.如權利要求2所示的真空等離子刻蝕反應腔體設備，其特征在于，所述電感串聯在所述頂針下部中。?

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